[发明专利]一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法在审
| 申请号： | 202210585519.5 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114999923A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 朱贵武;卢旋瑜;左永刚 | 申请（专利权）人： | 晶旺半导体（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261108 山东省潍坊市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 封装 半导体 芯片 接线 形成 方法 | ||
1.一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，该半导体芯片封装安装结合在一基板上以与该基板上所布设的复数个焊点电性连接，包含：
一半导体芯片，其具有一焊垫表面，焊垫表面设有复数个焊垫；
至少一介电质层其被覆于该半导体芯片的焊垫表面上；
以及至少一导接线路，其设置于该介电质层中，且各导接线路的一端分别与半导体芯片上一焊垫电性连接，另一端则向外延伸并显露于该介电质层之外，以形成一焊点，可供与一基板上所预先布设的一焊点电性连接，以使该半导体芯片安装结合在该基板上；其特征在于，该导接线路的形成方法包含下列步骤：
S1：在半导体芯片的焊垫表面上涂布第一层介电质层；
S2：利用光阻剂并以曝光显影方式在该第一层介电质层上成形焊垫表面上各焊垫的凹槽，使各焊垫能够经由各凹槽向外裸露；
S3：在各线路凹槽内填入导电金属质，以分别形成各第一导接线路；
S4：在各线路凹槽内以及凹槽四周溅镀导电金属质，以分别形成各第二导接线路，以及形成新的凹槽；
S5：对第二导接线路表面以及第一层介电质层表面进行金属剥离工艺处理；
S6：在第二导接线路表面包裹涂布导电金属质，以形分别成各第三导接线路；
S7：在第一层介电质层及各第三导接线路上涂布第二层介电质层；
S8：利用光阻剂以曝光显影方式于该第二层介电质层上分别成形与各第三导接线路一端连接的凹槽；
S9：在各凹槽内填入导电金属质以分别形成一焊点，该焊点显露于第二层介电质层的外面，可供分别电性连结至芯片的各焊垫。
2.根据权利要求1所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述该第一、二层介电质层的涂布方式为旋涂方式。
3.根据权利要求1所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述S3中填入导电金属质，采用化学镍金。
4.根据权利要求1所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述S6中涂布导电金属质，采用化学镍金或者沉银。
5.根据权利要求1所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述第二导接线路厚度为0.03微米。
6.根据权利要求1所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述该显露于第二层介电质层外面的焊点形成一凸出于第二层介电质层的外表面的半球形状或顶部与第二层介电质层平行的金属层形态。
7.根据权利要求6所述的一种改善封装电性半导体芯片封装的导接线路的形成方法，其特征在于：所述焊点与第二层介电质层平行的金属层形态时采用化学镍金形成。
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