[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210585531.6 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115662991A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 赵珉熙;柳民泰;柳成原;李元锡;朴玄睦;李基硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
在基板上的导电线；
在所述导电线上的第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第二栅电极，所述第二栅电极通过栅极隔离绝缘层与所述第一栅电极分隔开；
在所述第一栅电极的第一侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层插置在它们之间；
在所述第一栅电极的第二侧表面上的第一源极/漏极区；
在所述第二栅电极的第三侧表面上的第二沟道层并且第二栅极绝缘层插置在它们之间，所述第三侧表面与所述第一侧表面相反；
在所述第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及
第三源极/漏极区，在所述第一沟道层上和在所述第二栅电极的第四侧表面上，所述第四侧表面与所述第一沟道层在同一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述第一栅电极、所述第一栅极绝缘层、所述第一沟道层和所述第三源极/漏极区构成第一垂直沟道晶体管，以及
所述第二栅电极、所述第二栅极绝缘层、所述第二沟道层、所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区构成第二垂直沟道晶体管。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述第一沟道层和所述第二沟道层包括氧化物半导体层，以及
所述第一源极/漏极区、所述第二源极/漏极区和所述第三源极/漏极区包括导电层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述栅极隔离绝缘层内的屏蔽导电层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极隔离绝缘层包括空气层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极在所述导电线的延伸方向上与所述第一栅电极间隔开。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述第一栅电极的所述第一侧表面和所述第二栅电极的所述第四侧表面在位于垂直于所述基板的表面的方向上的第一垂直平面上，以及
所述第一栅电极的所述第二侧表面和所述第二栅电极的所述第三侧表面在位于垂直于所述基板的所述表面的所述方向上的第二垂直平面上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一源极/漏极区在所述第一栅电极的所述第二侧表面上，并且所述第一栅极绝缘层插置在它们之间。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三源极/漏极区在所述第二栅电极的所述第四侧表面上，并且所述第二栅极绝缘层插置在它们之间。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述第二栅电极上的栅极盖层，
其中所述第二源极/漏极区的第一顶表面和所述栅极盖层的第二顶表面共面。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述第二源极/漏极区和所述第三源极/漏极区两者上的电容器结构的下电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
