[发明专利]发光器件及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：基底、位于所述基底上的发光二极管、及位于所述发光二极管背离所述基底一侧的色转换层；所述发光器件还包括：纳米金属颗粒；

所述发光二极管背离所述基底的表面形成有多个凹槽；

所述纳米金属颗粒填充于所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：金属层；

所述金属层位于所述色转换层背离所述基底的一侧。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光二极管包括：相对设置的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层、及位于所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间的量子阱层；

所述凹槽形成于所述第二掺杂半导体层背离所述基底的表面。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述第二掺杂半导体层的厚度。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光二极管还包括：电流扩展层；

所述电流扩展层位于所述第二掺杂半导体层背离所述基底的一侧。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述色转换层包括：量子点材料；

所述电流扩展层背离所述基底一侧的表面形成多个孔隙；

所述量子点材料填充于所述孔隙内。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述电流扩展层的厚度为10纳米至100纳米。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述孔隙的直径为10纳米至100纳米。

9.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述纳米金属颗粒与所述金属层的材料相同。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述纳米金属颗粒的材料包括：银、金、铂、钯、铱中的至少一种。

11.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述纳米金属颗粒的直径小于或等于100纳米；

相邻的所述纳米金属颗粒之间的间距值大于或等于1微米。

12.根据权利要求3所述发光器件，其特征在于，所述第一掺杂半导体层具有搭接平台；所述发光器件还包括：覆盖所述搭接平台和所述金属层的钝化层、及位于所述钝化层背离所述基底一侧的第一连接电极和第二连接电极；

所述第一连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述搭接平台电连接；

所述第二连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述金属层电连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求1至12任一项所述的发光器件。

14.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件的制备方法包括：

在基底上形成发光二极管；

在发光二极管背离所述基底的表面形成多个凹槽；

将纳米金属颗粒填充于多个所述凹槽内；

在所述发光二极管背离所述基底一侧形成色转换层。

15.根据权利要求14所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管背离所述基底一侧形成色转换层，之后还包括：

在所述色转换层背离所述基底的一侧形成金属层。

16.根据权利要求14所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在基底上形成发光二极管，包括：

在所述基底上依次形成第一掺杂半导体层、量子阱层和第二掺杂半导体层。