[发明专利]发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

本公开提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的发光器件发光效率较低的问题。本公开的发光器件包括：基底、位于基底上的发光二极管、及位于发光二极管背离基底一侧的色转换层；发光器件还包括：纳米金属颗粒；发光二极管背离基底的表面形成有多个凹槽；纳米金属颗粒填充于凹槽内。

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点(Quantum Dot，QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光器件已经成为了新型显示器件研究的主要方向。

在量子点发光器件中，发光二极管发出的光线可以作为激发光，激发光光照射至色转换层中，色转换层可以将激发光转换为不同颜色的光线，以使得显示产品达到全彩显示的效果。然而，目前的量子点发光器件中的发光二极管的发光效率较低，并且其中色转换层的色转换效率较低，不能满足目前的显示产品的要求。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种发光器件及其制备方法、显示装置。

第一方面，本公开实施例提供了一种发光器件，所述发光器件包括：基底、位于所述基底上的发光二极管、及位于所述发光二极管背离所述基底一侧的色转换层；所述发光器件还包括：纳米金属颗粒；

所述发光二极管背离所述基底的表面形成有多个凹槽；

所述纳米金属颗粒填充于所述凹槽内。

可选地，所述发光器件还包括：金属层；

所述金属层位于所述色转换层背离所述基底的一侧。

可选地，所述发光二极管包括：相对设置的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层、及位于所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间的量子阱层；

所述凹槽形成于所述第二掺杂半导体层背离所述基底的表面。

可选地，所述凹槽的深度小于所述第二掺杂半导体层的厚度。

可选地，所述发光二极管还包括：电流扩展层；

所述电流扩展层位于所述第二掺杂半导体层背离所述基底的一侧。

可选地，所述色转换层包括：量子点材料；

所述电流扩展层背离所述基底一侧的表面形成多个孔隙；

所述量子点材料填充于所述孔隙内。

可选地，所述电流扩展层的厚度为10纳米至100纳米。

可选地，所述孔隙的直径为10纳米至100纳米。

可选地，所述纳米金属颗粒与所述金属层的材料相同。

可选地，所述纳米金属颗粒的材料包括：银、金、铂、钯、铱中的至少一种。

可选地，所述纳米金属颗粒的直径小于或等于100纳米；

相邻的所述纳米金属颗粒之间的间距值大于或等于1微米。

可选地，所述第一掺杂半导体层具有搭接平台；所述发光器件还包括：覆盖所述搭接平台和所述金属层的钝化层、及位于所述钝化层背离所述基底一侧的第一连接电极和第二连接电极；

所述第一连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述搭接平台电连接；

所述第二连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述金属层电连接。