[发明专利]平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法及结构

权利要求书

1.一种平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是，所述元胞制备方法包括如下步骤：

步骤1、提供具有第一导电类型的SiC晶片，并在所述SiC晶片上制备一第二导电类型层；

步骤2、在第二导电类型层上制备所需的注入第一遮挡体；

步骤3、在上述第二导电类型层上方进行第一导电类型杂质离子注入，利用注入第一遮挡体对第二导电类型层的遮挡，以在第二导电类型层内形成若干所需的第一类型注入区，所述第一导电类型注入区在第二导电类型层内的注入深度小于第二导电类型层的厚度；

步骤4、去除上述注入第一遮挡体，并在第二导电类型层上制备所需的注入第二遮挡体，所述注入第二遮挡体包括若干注入第二遮挡体注入窗口，所述注入第二遮挡体注入窗口与第二导电类型层内导电通道区之间的第一类型注入区正对应，并通过第二遮挡体注入窗口将待形成导电通道区之间的第一导电类型注入区露出；

步骤5、利用注入第二遮挡体在上述第二导电类型层上进行第一导电类型杂质离子注入，以在上述导电沟道区之间的第一导电类型注入区正下方得到第一导电类型连接区，所述第一导电类型连接区的上端与正对应的第一导电类型注入区接触连接，所述第一导电类型连接区的下端与SiC晶片接触连接，以通过第一导电类型连接区以及所述第一导电类型连接区正上方的第一导电类型注入区使得所述第一导电类型连接区两侧的第二导电类型层隔离；

步骤6、去除上述注入第二遮挡体，并进行所需的正面元胞工艺，以制备得到所需的平面元胞。

2.根据权利要求1所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是：所述SiC晶片包括第一导电类型基板以及设置于所述第一导电类型基板上的第一导电类型外延层，

第二导电类型层与第一导电类型外延层适配连接；第二导电类型层通过外延工艺或离子注入工艺制备得到。

3.根据权利要求1所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是，步骤2中，制备注入第一遮挡体时，包括如下步骤：

步骤2.1、在第二导电类型层上制备注入第一掩膜层；

步骤2.2、选择性地掩蔽和刻蚀所述注入第一掩膜层，以得到若干贯通注入第一掩膜层的第一掩膜层注入窗口，以利用注入第一掩膜层注入窗口与所述注入第一掩膜层形成所需的注入第一遮挡体。

4.根据权利要求3所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是，所述注入第一掩膜层的材料包括光刻胶、氧化硅、多晶硅或氮化硅。

5.根据权利要求1至4任一项所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是，还包括用于形成背面电极结构的背面电极工艺。

6.根据权利要求1至4任一项所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是：所述注入第二遮挡体的材料包括光刻胶、氧化硅、多晶硅或氮化硅。

7.根据权利要求1至4任一项所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是：对第一导电类型连接区任一侧的第二导电类型层，所述第二导电类型层包括第二导电类型层主体以及用于间隔第一导电类型注入区的第二导电类型间隔柱，所述第二导电类型间隔柱与第二导电类型层主体连接成一体。

8.根据权利要求7所述平面型SiC MOSFET器件的元胞制备方法，其特征是：所述第二导电类型层主体包括主支撑部以及端部支撑部，所述主支撑部与端部支撑部分别位于第二导电类型间隔柱的两侧；

对与所述第二导电类型层对应的第一导电类型注入区，一第一导电类型注入区与主支撑部正对应连接，另一第一导电类型注入区的端部与所对应第二导电类型层的端部支撑部对应连接。

9.一种平面型SiC MOSFET器件的元胞结构，其特征是：利用上述权利要求1至权利要求4任一项所述元胞制备方法制备得到。