[发明专利]太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

第一导电类型的第一非晶硅层，设置在结晶硅衬底的第一主面上；

非晶氧化硅层，设置在所述第一非晶硅层的第一主面上；和

所述第一导电类型的微晶硅层，设置在所述非晶氧化硅层的第一主面上，其中，

所述第一非晶硅层、所述非晶氧化硅层和所述微晶硅层中的氧原子浓度在厚度方向在所述非晶氧化硅层中具有最大值。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括由非晶硅材料构成的第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述结晶硅衬底的第一主面与所述第一非晶硅层的第二主面之间。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述微晶硅层的厚度大于所述第一钝化层的厚度，且大于所述第一非晶硅层的厚度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，还包括：

第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；和

第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上，其中，

所述微晶硅层的结晶度高于所述第二非晶硅层的结晶度。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池，还包括：

第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；和

第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上，其中，

所述第一钝化层中的所述第一导电类型的原子的浓度低于1×10²¹原子/cm³，且低于所述第一非晶硅层中的所述第一导电类型的原子的浓度，并且

所述第二钝化层中的所述第二导电类型的原子的浓度低于1×10²¹原子/cm³，且低于所述第二非晶硅层中的所述第二导电类型的原子的浓度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其中，

所述第一非晶硅层中包含的所述第一导电类型的原子的浓度低于1×10²²原子/cm³，并且

所述微晶硅层中包含的所述第一导电类型的原子的浓度低于1×10²²原子/cm³。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，还包括：

第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；

第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上；和

透明导电层，设置在所述微晶硅层的第一主面和所述第二非晶硅层的第二主面中的至少一个上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池，还包括：

第二钝化层，由非晶硅材料构成，且设置在所述结晶硅衬底的第二主面上；和

第二导电类型的第二非晶硅层，设置在所述第二钝化层的第二主面上，其中，

所述微晶硅层的算术平均粗糙度等于或大于所述第二非晶硅层的算术平均粗糙度。

9.一种多结太阳能电池，包括：

权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池；和

第二太阳能电池，设置在所述太阳能电池上，且包括带隙比硅大的光电转换层。

10.一种制造权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池的方法，其中，

所述第一非晶硅层和所述微晶硅层在同一化学气相沉积腔室中形成，而不暴露在大气中。

11.一种制造权利要求2或3所述的太阳能电池的方法，其中，

所述第一钝化层和所述第一非晶硅层在同一化学气相沉积腔室中形成，而不暴露在大气中。