[发明专利]太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法

说明书

一种太阳能电池(10)，包括：设置在结晶硅衬底(11)的第一主面上的n型第一非晶硅层(13)；设置在第一非晶硅层(13)的第一主面上的非晶氧化硅层(14)；和设置在非晶氧化硅层(14)的第一主面上的n型微晶硅层(15)。第一非晶硅层(13)、非晶氧化硅层(14)和微晶硅层(15)中的氧原子浓度在厚度方向在非晶氧化硅层(14)中具有最大值。

技术领域

本公开涉及太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法。

背景技术

在第5726377号日本审查专利申请公报中公开了一种传统的太阳能电池。如图12所示，该太阳能电池710的受光面的非晶硅层被微晶化，以形成微晶硅层715。使用非晶硅层的异质结太阳能电池存在以下问题：受光面的非晶硅层的寄生吸收减少了到达结晶硅衬底(其为光电转换层)的光。在该太阳能电池710中，对受光面的非晶硅层进行微晶化，以便提高硅层的透过性，以增加到达光电转换层的光的强度，从而提高太阳能电池710的输出。

发明内容

技术问题

如图12所示，上述传统的太阳能电池710除了具有实现钝化的本征非晶硅层713之外，还具有本征微晶硅层714。本征微晶硅层714是用于提高难以微晶化的导电硅层的微晶化的籽晶层。这种配置增加了本征层713和714的总厚度，与导电层相比导电性差；因此，内部电阻增加，并且太阳能电池710的填充因子很可能降低。

在此，本公开的太阳能电池能够提供一种在受光面上具有微晶硅层，使得能够增加到达光电转换层的光的强度，并且能够容易地增加填充因子的太阳能电池。

问题的解决方案

为了解决上述问题，根据本公开的太阳能电池包括：第一导电类型的第一非晶硅层，设置在结晶硅衬底的第一主面上；非晶氧化硅层，设置在第一非晶硅层的第一主面上；和第一导电类型的微晶硅层，设置在非晶氧化硅层的第一主面上。第一非晶硅层、非晶氧化硅层和微晶硅层中的氧原子的浓度在厚度方向在非晶氧化硅层中具有最大值。

术语“在第一主面上设置层”理所当然地包括在第一主面上直接接触地设置层的情况，并且还包括在第一主面上隔着除了该层之外的一个或多个中间层设置层的情况。第一非晶硅层和微晶硅层中的每个可以包含氧原子并且可以包含碳原子。

发明的有益效果

根据本公开的太阳能电池在受光面上具有微晶硅层，使得可以增加到达光电转换层的光强度并且可以容易地增加填充因子。

附图说明

附图描绘了根据本教导的一种或多种实施方式，仅作为示例而不是作为限制。在图中，相似的附图标号指相同或相似的元件。将基于以下附图描述本公开的实施例，其中：

图1是第一实施例的太阳能电池的厚度方向的示意剖面图。

图2是在玻璃衬底上依次形成非晶硅层和微晶硅层时的拉曼光谱的结果。在图2中，比较了形成非晶硅层后有无氧化处理(即，是否存在非晶氧化硅层14)的拉曼光谱。

图3是用于说明主要涉及示例1的太阳能电池的效果的堆叠部分的示意剖面图。

图4是示例1的太阳能电池中的与图3所示的堆叠部分对应的堆叠部分的示意剖面图。

图5是在结晶硅衬底的第一主面和第二主面上均具有纹理结构的太阳能电池的示意剖面图。图5中的太阳能电池对应于图1中的太阳能电池，除了纹理结构。

图6是用于说明第一导电类型的微晶硅层的第一主面的形状的示意剖面图。

图7是用于说明第二导电类型的非晶硅层的第二主面的形状的示意剖面图。

图8是本公开的第二实施例的多结太阳能电池的厚度方向的示意剖面图。