[发明专利]晶圆寻边方法、系统、计算机及可读存储介质

说明书

本发明提供了一种晶圆寻边方法、系统、计算机及可读存储介质，该方法包括通过激光位移传感器采集晶圆在旋转过程中产生的边缘位置数据；对若干实际采样点进行一次拟合运算，以获取到与晶圆对应的拟合圆数据，并计算出拟合圆数据中的若干标准采样点与若干实际采样点之间的差值；将差值的最大处设定为初始平边位置，并采集初始平边位置处的采样数据；对局部采样点进行二次拟合运算，并识别出目标平边位置的寻边角度以及寻边长度；判断寻边角度以及寻边长度是否小于预设精度值；若是，则判定目标平边位置为晶圆的平边位置。通过上述方式能够规避现场环境光以及晶圆反射率不同所带来的成像稳定性问题，同时可以有效降低算法的复杂度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆寻边方法、系统、计算机及可读存储介质。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的晶片，其原始材料通常是硅。其制作工艺为，将高纯度的多晶硅溶解后，掺入硅晶体中，然后再慢慢拉出，以形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，以形成硅晶圆片，也就是晶圆。在晶圆制作的过程中，拉单晶、切片、磨片、抛光、增层、光刻、掺杂、热处理以及划片等一系列处理过程均可能使晶圆的表面产生缺陷。因此，为了防止存在缺陷的晶圆流入封装工序，需要借助晶圆检测设备来识别出晶圆表面的缺陷并分类、标记，以辅助晶圆分拣。

其中，在自动光学检测(AOI)系统中，晶圆寻边方法的精度和稳定性至关重要，直接关系到后续晶圆表面缺陷检测的算法结果的精确度、稳定性和重复性。然而，现有技术的晶圆寻边方法对晶圆的表面反射率，相机的稳定性以及系统的可靠性都极其敏感，从而对于多种工艺制成的晶圆的寻边往往不具有普适性，进而降低了晶圆寻边的效率。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种晶圆寻边方法、系统、计算机及可读存储介质，以解决现有技术的晶圆寻边方法对晶圆的表面反射率，相机的稳定性以及系统的可靠性都极其敏感，从而对于多种工艺制成的晶圆的寻边往往不具有普适性，导致降低了晶圆寻边效率的问题。

本发明实施例第一方面提出了一种晶圆寻边方法，用于检测晶圆的平边位置，所述方法包括：

当激光位移传感器识别到所述晶圆时，通过所述激光位移传感器采集所述晶圆在旋转过程中产生的边缘位置数据，并对所述边缘位置数据进行预处理，所述边缘位置数据包括若干实际采样点；

对预处理过后的所述边缘位置数据中的若干所述实际采样点进行一次拟合运算，以获取到与所述晶圆对应的拟合圆数据，并计算出所述拟合圆数据中的若干标准采样点与若干所述实际采样点之间的差值；

将所述差值的最大处设定为所述晶圆的初始平边位置，并将所述激光位移传感器对准所述初始平边位置，以采集所述初始平边位置处的采样数据，所述采样数据包括与所述初始平边位置对应的局部采样点；

对所述局部采样点进行二次拟合运算，以获取到目标平边位置，并识别出所述目标平边位置的寻边角度以及寻边长度；

分别判断所述寻边角度以及所述寻边长度是否小于预设精度值；

若判断到所述寻边角度和所述寻边长度均小于所述预设精度值，则判定所述目标平边位置为所述晶圆的平边位置。