[发明专利]芯片转移方法、Micro-LED显示器件及制作方法

权利要求书

1.一种芯片转移方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一原始衬底，所述原始衬底上具有多个呈阵列排布的待转移的芯片；

在压力作用下将胶带贴合至所述原始衬底及芯片；

将所述胶带和芯片从所述原始衬底上剥离；

在压力作用下，将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，采用紫外光照射使所述胶带的粘性减弱，将带有芯片的粘性减弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至所述目标衬底上。

2.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，采用紫外光照射使所述胶带的粘性减弱，将带有芯片的粘性减弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至所述目标衬底上的步骤，包括：

将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，利用光学光罩并采用紫外光对芯片进行照射，得到曝光区域的芯片以及非曝光区域的芯片，其中，曝光区域的芯片的高度相较非曝光区域的芯片的高度更低；

利用胶带依次将非曝光区域的芯片转移至第一目标衬底上、将曝光区域的芯片转换至第二目标衬底上。

3.根据权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述利用胶带依次将非曝光区域的芯片转移至第一目标衬底上、将曝光区域的芯片转换至第二目标衬底上的步骤，包括：

在压力作用下将带有所有芯片的胶带与第一目标衬底贴合，以使非曝光区域的芯片转移至所述第一目标衬底上；

将带有曝光区域的芯片的胶带从所述第一目标衬底上剥离，并贴合至玻璃基板上，采用紫外光进行照射以至所述胶带完全减粘；

将完全减粘后的带有曝光区域的芯片的胶带贴合至第二目标衬底，以将曝光区域的芯片转移至所述第二目标衬底。

4.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述目标衬底与芯片贴合的一侧具有黏附层。

5.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在压力作用下将胶带贴合至所述原始衬底及芯片的步骤，包括：

于垂直方向上对所述胶带和原始衬底施加压力；

利用抽真空装置抽离所述胶带和原始衬底之间的空气，以将所述胶带贴合至所述原始衬底。

6.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在压力作用下将胶带贴合至所述原始衬底及芯片的步骤，包括：

利用滚轮设备对胶带进行依次均匀施压，以使胶带和原始衬底之间在无气泡状态下贴合。

7.根据权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在压力作用下将胶带贴合至所述原始衬底及芯片的步骤之前，所述方法还包括：

将具有芯片的原始衬底浸泡至腐蚀溶液中，以使所述芯片与原始衬底之间形成弱结合力。

8.根据权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述紫外光的照射波长为320nm至400nm。

9.一种Micro-LED显示器件制作方法，其特征在于，包括芯片转移和芯片阵列制作，其中，采用权利要求1-8任意一项所述的芯片转移方法进行芯片转移。

10.一种Micro-LED显示器件，其特征在于，采用权利要求9所述的Micro-LED显示器件制作方法制作形成。