[发明专利]芯片转移方法、Micro-LED显示器件及制作方法

说明书

本申请提供一种芯片转移方法、Micro‑LED显示器件及制作方法，通过在压力作用下将胶带贴合至具有芯片的原始衬底上，将胶带和芯片一同从原始衬底上剥离，并在压力作用下，将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，采用紫外光照射使胶带的粘性减弱，最后将带有芯片的粘性减弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至目标衬底上。本方案，采用基于紫外光照射方式减弱胶带的粘性，并且减粘同时引入临时的玻璃基板，使得胶带在排氧环境下快速减粘，缩短了工艺时间、降低工艺成本，且提高了转移良品率和精确度。

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，具体而言，涉及一种芯片转移方法、Micro-LED显示器件及制作方法。

背景技术

Micro-LED显示领域，晶圆上制作出的大量微LED芯片需要利用转移技术将其转移到电路基板上，与其它芯片一起做进一步的封装。巨量转移是一项关键核心技术，其良率、精度、速度以及可编程的微LED芯片的转移是降低生产成本的核心。

现有技术中，主要有PDMS印章、流体自组装、静电力组装、磁力吸附、滚轴转印技术等。目前采用的减弱转移胶带粘性的工艺主要采用对热胶带进行升温降温等处理，这种工艺所需时间长，导致成本提高。且热胶带基于热发泡原理减粘，减粘过程发泡胶体积膨胀容易导致芯片位移，温度也容易导致衬底的热形变，带来诸多转移精度的问题。

此外，也有通过预设波长的光线对转移基板进行照射，使得转移基板的粘性发生变化，实现对芯片的拾取和放置，如UV tape。商用UV tapes已广泛用于半导体领域waferdicing，但是对于几微米尺度(3μm-100μm)的微型半导体器件的高效批量转移与可编程转移还少有报道。特别是针对几微米尺度的器件的存在芯片位移，良率低，以及可选择性转移困难和选择性精度不高等问题。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种芯片转移方法、Micro-LED显示器件及制作方法，其能够实现芯片的快速、高精确度及高良品率的转移。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种芯片转移方法，所述方法包括：

提供一原始衬底，所述原始衬底上具有多个呈阵列排布的待转移的芯片；

在压力作用下将胶带贴合至所述原始衬底及芯片；

将所述胶带和芯片从所述原始衬底上剥离；

在压力作用下，将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上，以排除掉空气，采用紫外光照射使所述胶带的粘性减弱，将带有芯片的粘性较弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至所述目标衬底上。

在可选的实施方式中，所述将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，采用紫外光照射使所述胶带的粘性减弱，将带有芯片的粘性减弱后的胶带贴合至目标衬底，以将芯片转移至所述目标衬底上的步骤，包括：

将带有芯片的胶带贴合至提供的玻璃基板上以排除掉空气，利用光学光罩并采用紫外光对芯片进行照射，得到曝光区域的芯片以及非曝光区域的芯片，其中，曝光区域的芯片的高度相较非曝光区域的芯片的高度更低；

利用胶带依次将非曝光区域的芯片转移至第一目标衬底上、将曝光区域的芯片转换至第二目标衬底上。

在可选的实施方式中，所述利用胶带依次将非曝光区域的芯片转移至第一目标衬底上、将曝光区域的芯片转换至第二目标衬底上的步骤，包括：

在压力作用下将带有所有芯片的胶带与第一目标衬底贴合，以使非曝光区域的芯片转移至所述第一目标衬底上；

将带有曝光区域的芯片的胶带从所述第一目标衬底上剥离，并贴合至玻璃基板上，采用紫外光进行照射以至所述胶带完全减粘；