[发明专利]一种扇出式封装器件在审

专利信息
申请号: 202210595821.9 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN114975345A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 杜茂华 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 柳芳
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扇出式 封装 器件
【权利要求书】:

1.一种扇出式封装器件,其特征在于,包括:

芯片,包括相背设置的功能面和非功能面,所述功能面上设置有多个焊盘;

第一线层,位于所述芯片的所述功能面一侧,所述第一线层与所述焊盘电连接;其中,所述第一线层包括多个第一金属线,相邻所述第一金属线之间具有第一间隔;

第二线层,位于所述第一线层远离所述芯片一侧;其中,所述第二线层包含多个第二金属线,相邻所述第二金属线之间具有第二间隔,且所述第一间隔小于所述第二间隔,所述第一线层先于所述第二线层形成;

塑封层,位于所述第一线层远离所述第二线层一侧,所述芯片位于所述塑封层内。

2.根据权利要求1所述的扇出式封装器件,其特征在于,还包括:

第一介电层,位于所述第一线层背离所述芯片一侧;其中,所述第一介电层设置有第一通孔,部分所述第一线层从所述第一通孔中露出,所述第二线层填充至少部分所述第一通孔。

3.根据权利要求2所述的扇出式封装器件,其特征在于,

在远离所述第一线层方向上,所述第一通孔包括相互连通的第一子通孔和第二子通孔;且所述第一子通孔相对所述第二子通孔靠近所述第一线层,所述第一子通孔的平均内径小于所述第二子通孔的平均内径。

4.根据权利要求3所述的扇出式封装器件,其特征在于,

在远离所述第一线层方向上,所述第一子通孔的内径逐渐增大;和/或,在远离所述第一线层方向上,所述第二子通孔的内径相同。

5.根据权利要求2所述的扇出式封装器件,其特征在于,

所述第二线层填充所有所述第一通孔,且所述第二线层的厚度与所述第一通孔的深度相同。

6.根据权利要求2所述的扇出式封装器件,其特征在于,

所述第二线层覆盖所述第一通孔的内壁以及与所述内壁相邻的部分所述第一介电层;其中,所述第二线层的厚度小于所述第一通孔的深度。

7.根据权利要求1所述的扇出式封装器件,其特征在于,还包括:

第二介电层,位于所述第一线层背离所述第二线层一侧,所述第二介电层覆盖所述第一线层背离所述第二线层一侧表面;其中,所述第二介电层上包括多个第一开口,部分所述第一线层从所述第一开口中露出。

8.根据权利要求7所述的扇出式封装器件,其特征在于,还包括:

多个导电凸点,位于所述芯片的所述功能面上,所述导电凸点与所述焊盘电连接;

多个第一导电柱,至少部分位于所述第一开口内,所述第一导电柱的一端与所述第一线层电连接,另一端与所述导电凸点电连接。

9.根据权利要求8所述的扇出式封装器件,其特征在于,还包括:

第二导电柱,围设在所述芯片的外围;其中,所述第二导电柱的一端与所述第一线层电连接,另一端从所述塑封层中露出。

10.根据权利要求2所述的扇出式封装器件,其特征在于,还包括:

第三介电层,位于所述第二线层背离所述芯片一侧;其中,所述第三介电层至少覆盖部分所述第二线层;

所述第三介电层上设置有多个第二开口,部分所述第二线层从所述第二开口中露出,所述第二开口内设置有焊球。

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