[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明提供一种高速动作的半导体存储装置。半导体存储装置具有：第1焊垫，能收发第1时点信号；第2焊垫，能根据第1时点信号收发数据信号；第3焊垫，能接收第2时点信号；第4焊垫，能根据第2时点信号接收控制信息；存储单元阵列；感测放大器，与所述存储单元阵列连接；第1寄存器，与所述感测放大器连接；第2寄存器，能存储第1控制信息；第3寄存器，能存储第2控制信息；及控制电路，能执行从第1焊垫输出存储在第1寄存器的数据的数据输出。基于与i个周期量的第2时点信号对应的对第4焊垫的输入，将第1控制信息存储在第2寄存器。基于与j个周期量的第2时点信号对应的对第4焊垫的输入，将第2控制信息存储在第3寄存器。

相关申请

本申请享有以日本专利申请2021-120333号(申请日2021年7月21日)及日本专利申请2021-170466号(申请日2021年10月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参考所述基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列，包含多个存储单元；及外围电路，连接在所述存储单元阵列，根据包含命令数据及地址数据的命令组的输入，输出用户数据。

发明内容

提供一种高速动作的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具有：第1焊垫，能收发第1时点信号；第2焊垫，能根据第1时点信号收发数据信号；第3焊垫，能接收第2时点信号；第4焊垫，能根据第2时点信号接收控制信息；存储单元阵列，包含串联连接着多个存储单元晶体管的字串；感测放大器，连接在存储单元阵列；第1寄存器，连接在感测放大器，能存储从存储单元阵列读出的数据；第2寄存器，能存储第1控制信息；第3寄存器，能存储第2控制信息；及控制电路，能执行从第1焊垫输出存储在第1寄存器的数据的数据输出。基于与i个周期(i为2以上的整数)量的第2时点信号对应的对第4焊垫的输入，将第1控制信息存储在第2寄存器。基于与个j周期(j为与i不同的整数)量的第2时点信号对应的对第4焊垫的输入，将第2控制信息存储在第3寄存器。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器系统10的构成的示意性框图。

图2是表示存储器系统10的构成例的示意性侧视图。

图3是表示存储器系统10的构成例的示意性俯视图。

图4是表示存储器裸片MD的构成的示意性框图。

图5是表示存储器裸片MD的一部分构成的示意性电路图。

图6是表示存储器裸片MD的一部分构成的示意性立体图。

图7是表示存储器裸片MD的一部分构成的示意性电路图。

图8是表示存储器裸片MD的一部分构成的示意性电路图。

图9是表示存储器裸片MD的一部分构成的示意性电路图。

图10是用来对动作模式MODEa进行说明的示意性图。

图11是用来对动作模式MODEb进行说明的示意性图。

图12是用来对动作模式MODEa进行说明的真值表。

图13是用来对动作模式MODEb进行说明的真值表。

图14是用来对动作模式MODEb进行说明的真值表。

图15是用来对动作模式MODEb进行说明的真值表。

图16是用来对动作模式MODEa进行说明的示意性波形图。