[发明专利]一种气相生长制备枝杈状CsPbBr3

权利要求书

1.一种气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制备CsPbBr₃单晶，作为前驱体备用；

2)将步骤1)制得的前驱体粉碎后置于管式炉的加热区，将衬底置于管式加热炉的载气下游、加热区外的冷却区，然后将管式炉升温至350～400℃，稳定1分钟；

3)将衬底推入管式炉的加热管中，距离前驱体12～15cm的位置，维持管式炉温度为350～400℃，反应1～4小时，自然冷却降温，制得枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，步骤1)中，制备CsPbBr₃单晶时将摩尔比为1:1的CsBr和PbBr₂溶解于DMSO中，通过反溶剂法制备得到CsPbBr₃单晶。

3.根据权利要求1所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中，管式炉中的载气为Ar气，载气压力为100mTorr，载气流速为18sccm。

4.根据权利要求1所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为SrTiO₃、ITO或者蓝宝石玻璃。

5.根据权利要求4所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为5mm×10mm×0.5mm的小块。

6.根据权利要求1所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中，将管式炉升温至375℃，稳定1分钟。

7.根据权利要求1所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，步骤3)中，将衬底推入加热管的操作在管式炉密闭时进行。

8.根据权利要求7所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法，其特征在于，在管式炉管外放置磁铁，利用磁铁的相互作用，将衬底推入管式炉。

9.采用权利要求1～8中任意一项所述的气相生长制备枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜的方法制备得到的枝杈状CsPbBr₃纳米晶薄膜。