[发明专利]体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法

说明书

本发明提供了一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法。该体声波滤波器包括：第一衬底；位于第一衬底上的沿水平方向相邻设置的第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，第一体声波谐振器和第二体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；第一体声波谐振器和第二体声波谐振器在水平面的正投影无交叠；第一体声波谐振器和第二体声波谐振器的电极在竖直平面的正投影无交叠，电极包括底电极和顶电极中的至少一个；第一体声波谐振器和第二体声波谐振器位于第一衬底的同一表面。本发明实施例提供的技术方案，规避了体声波谐振器间的耦合寄生效应，提升了体声波滤波器的带外抑制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法。

背景技术

体声波谐振器组包括若干体声波谐振器，可以构成体声波滤波器，由于其工作频率高、功耗低、品质因数高等特点，目前已成为通信器件领域重要的器件被广泛应用。

带外抑制是体声波滤波器重要的性能指标之一。现如今版图中的两体声波谐振器间的耦合寄生效应会对体声波滤波器的带外抑制起到负面的作用，例如带外零点的退化等。

因此，需要规避体声波谐振器间的耦合寄生效应来提升体声波滤波器的带外抑制。

发明内容

本发明提供了一种体声波滤波器、通信器件及体声波滤波器的制备方法，以规避体声波谐振器间的耦合寄生效应来提升体声波滤波器的带外抑制。

根据本发明的一方面，提供了一种体声波滤波器，包括：第一衬底；

位于所述第一衬底上的沿水平方向相邻设置的第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，所述第一体声波谐振器和第二体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极的叠层结构；

所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器在水平面的正投影无交叠；

所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器的电极在竖直平面的正投影无交叠，所述电极包括底电极和顶电极中的至少一个；

所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器位于所述第一衬底的第一表面。

可选地，所述第二体声波谐振器位于第一衬底上；

所述第一体声波谐振器位于第一衬底上的第一容纳凹槽。

可选地，所述第一体声波谐振器位于第一衬底上的第二容纳凹槽；

所述第二体声波谐振器位于第一衬底上的第三容纳凹槽；

所述第三容纳凹槽的深度小于所述第二容纳凹槽的深度。

可选地，所述第一体声波谐振器的顶电极的上表面低于所述第二体声波谐振器的底电极的下表面。

可选地，所述第一体声波谐振器的压电层和所述第二体声波谐振器的底电极在竖直平面的正投影有交叠；

所述第一体声波谐振器的顶电极和所述第二体声波谐振器的压电层在竖直平面的正投影有交叠；

所述第二体声波谐振器的顶电极与所述第一体声波谐振器的顶电极在竖直平面的正投影无交叠；

所述第二体声波谐振器的底电极与所述第一体声波谐振器的底电极和顶电极在竖直平面的正投影无交叠。

可选地，还包括与所述第一衬底堆叠设置的第二衬底，所述第二衬底远离所述第一衬底的表面设置有第三体声波谐振器。

可选地，还包括与所述第一衬底堆叠设置的第三衬底，所述第三衬底靠近所述第一衬底的表面设置有第四体声波谐振器。

可选地，所述第一体声波谐振器与所述第四体声波谐振器在水平面的正投影重合。