[发明专利]一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺在审
| 申请号： | 202210610309.7 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975688A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 钱小芳;徐建华;彭小江;范琼;路忠林;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 徐晓鹭 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 太阳能电池 氧化 工艺 | ||
1.一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，其特征在于，所述工艺包括以下过程：
将经过SE激光掺杂后的硅片插入石英舟后送入低压热氧化炉中；
调整炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量参数，通入磷源POCL3，在硅片表面形成一层致密的二氧化硅SiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，其特征在于，所述磷源POCL3添加在SN2小氮中。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，其特征在于，所述炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量通过以下方式加入：
所述氧化工艺包含9个阶段，其中：
第一阶段，温度为700°，BN2大氮以10000sccm的流量通入10秒，炉内压力为1060pa；
第二阶段，温度为700°，BN2大氮以10000sccm的流量通入540秒，炉内压力为1060pa；
第三阶段，温度为720°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以3000sccm的流量通入，反应时间为600秒，秒炉内压力为1060pa；
第四阶段，温度为720°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以3000sccm的流量通入，反应时间为1080秒，秒炉内压力为1060pa；
第五阶段，温度为720°，炉内压力降低到100pa，时间为210秒；
第六阶段，温度为720°，BN2大氮以1500sccm的流量通入，SN2小氮以300sccm的流量通入，O2以2000sccm的流量通入，反应时间为300秒，秒炉内压力为100pa；
第七阶段，温度为650°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以2800sccm的流量通入，反应时间为250秒，秒炉内压力为1060pa；
第八阶段，温度为600°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，反应时间为530秒，秒炉内压力为1060pa；
第九阶段，温度为700°，BN2大氮以2000sccm的流量通入，反应时间为10秒，秒炉内压力为1060pa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
