[发明专利]一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺

说明书

本发明提供了一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，所述工艺包括以下过程：将经过SE激光掺杂后的硅片插入石英舟后送入低压热氧化炉中；调整炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量参数，通入磷源POCL3，在硅片表面形成一层致密的二氧化硅SiO2薄膜。本申请了一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，可以修复硅片表层的晶格缺陷并钝化表面悬挂键，增加硅片表面掺杂量，有利于降低电池片银硅接触电阻及横向传导电阻，从而使电池片串联电阻降低，提升转化效率。

技术领域

本发明涉及光伏组件应用领域，具体是一种新型的单晶硅太阳能电池热氧化工艺。

背景技术

现在的热氧化工艺主要是在高温下，通入一定量的氧气,在硅片表面制作一层薄薄的二氧化硅层,可以有效地减少硅-二氧化硅界面悬挂键，减少界面态密度，提高氧化层钝化效果。

同时高温可以激活硅片表面堆积的磷原子，降低表面浓度，减少表面死层。利用热氧化的方法,硅片表层的晶格缺陷及悬挂键可以得到良好的修复，减少了复合中心。但是，该热氧化工艺会引起表面掺杂浓度降低且杂质分布离散,限制晶硅电池转化效率进一步提升。

发明内容

本发明为了解决现有技术的问题，提供了一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，可以修复硅片表层的晶格缺陷并钝化表面悬挂键，增加硅片表面掺杂量，有利于降低电池片银硅接触电阻及横向传导电阻，从而使电池片串联电阻降低，提升转化效率。

本发明一种单晶硅太阳能电池热氧化工艺，所述工艺包括以下过程：

将经过SE激光掺杂后的硅片插入石英舟后送入低压热氧化炉中；

调整炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量参数，通入磷源POCL3，在硅片表面形成一层致密的二氧化硅SiO2薄膜。

进一步的，所述磷源POCL3添加在SN2小氮中。

更进一步的，所述炉内温度、压力、氧气流量、氮气流量通过以下方式加入：

所述氧化工艺包含9个阶段，其中：

第一阶段，温度为700°，BN2大氮以10000sccm的流量通入10秒，炉内压力为1060pa；

第二阶段，温度为700°，BN2大氮以10000sccm的流量通入540秒，炉内压力为1060pa；

第三阶段，温度为720°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以3000sccm的流量通入，反应时间为600秒，秒炉内压力为1060pa；

第四阶段，温度为720°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以3000sccm的流量通入，反应时间为1080秒，秒炉内压力为1060pa；

第五阶段，温度为720°，炉内压力降低到100pa，时间为210秒；

第六阶段，温度为720°，BN2大氮以1500sccm的流量通入，SN2小氮以300sccm的流量通入，O2以2000sccm的流量通入，反应时间为300秒，秒炉内压力为100pa；

第七阶段，温度为650°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，O2以2800sccm的流量通入，反应时间为250秒，秒炉内压力为1060pa；

第八阶段，温度为600°，BN2大氮以10000sccm的流量通入，反应时间为530秒，秒炉内压力为1060pa；

第九阶段，温度为700°，BN2大氮以2000sccm的流量通入，反应时间为10秒，秒炉内压力为1060pa。

本发明有益效果在于：