[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；所述衬底上覆盖有堆叠结构；

形成至少贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；

形成覆盖所述衬底的背面第一区域的保护层；

在所述衬底的背面第二区域形成连接所述沟道结构的半导体层；其中，所述第二区域为未被所述保护层覆盖的区域；所述半导体层用于连接至少部分所述沟道结构，并作为公共源极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠结构靠近所述衬底的表面为第一表面；所述在所述衬底的背面第二区域形成连接所述沟道结构的半导体层，包括：

去除所述第二区域内的所述衬底，以暴露所述沟道结构的底部；

去除所述第二区域内的所述沟道结构的底部；

形成覆盖所述第一表面的所述半导体层；其中，所述半导体层与所述第二区域内的所述沟道结构电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二区域内的所述衬底，以暴露所述沟道结构的底部，包括：

从所述衬底的背面第二区域，对所述衬底进行刻蚀处理，以暴露所述沟道结构的底部。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在去除所述沟道结构的底部后，去除覆盖所述第一区域的所述保护层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沟道结构中还包括第一多晶硅层；所述去除所述沟道结构的底部之后，所述沟道结构底部的第一多晶硅层暴露；所述方法还包括：

对暴露的所述第一多晶硅层进行离子注入。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一表面的所述半导体层，包括：

去除所述保护层后，在所述第一区域和所述第二区域形成覆盖所述第一表面的第二多晶硅层；

对第二多晶硅层进行离子注入，以形成所述半导体层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对第二多晶硅层进行离子注入之前，所述方法还包括：

对第二多晶硅层进行平坦化处理，以使所述第一区域和所述第二区域的第二多晶硅层表面平齐。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个沟道结构包括：虚设沟道结构和常规沟道结构；所述形成至少贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构，包括：

在所述第一区域内，形成至少贯穿所述堆叠结构的所述虚设沟道结构；和

在所述第二区域内，形成贯穿所述堆叠结构的所述常规沟道结构；所述常规沟道结构与所述半导体层连接，并用于形成存储串的导电沟道。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述衬底的背面第一区域的保护层，包括：

在所述衬底的背面覆盖绝缘材料；

利用光刻和/或刻蚀工艺，去除所述衬底的背面第二区域的所述绝缘材料绝缘材料，以形成所述保护层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述利用光刻和/或刻蚀工艺，去除所述衬底的背面第二区域的所述绝缘材料，以形成所述保护层，包括：

在所述第一区域的所述绝缘材料上形成光刻胶；

对所述第二区域的绝缘材料进行光刻处理；

去除所述光刻胶，并对所述第二区域内的所述绝缘材料进行刻蚀处理，以去除所述第二区域内的所述绝缘材料；剩余的所述第一区域内的所述绝缘材料为所述保护层。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

堆叠结构；

沟道结构，至少贯穿所述堆叠结构；

半导体层，位于所述堆叠结构背面，并与至少部分所述沟道结构连接。