[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，包括单元区、核心区及位于所述单元区与所述核心区之间的边界区；

边界元件隔离层，位于所述边界区的所述衬底中，所述边界元件隔离层将所述单元区与所述核心区隔开；

高介电常数介电层，位于所述边界元件隔离层的至少一部分及所述核心区的所述衬底上；

第一导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第一延伸部，所述第一导电图案位于所述高介电常数介电层上；

第二导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第二延伸部，所述第二导电图案的至少一部分位于所述第一导电图案上；

导电层，延伸到所述边界元件隔离层上，所述导电层的第一部分位于所述第二导电图案上；以及

位线，包括所述单元区上的所述导电层的第二部分，

其中所述高介电常数介电层包括与所述边界元件隔离层交叠的第三延伸部，

所述第一延伸部在从所述核心区朝所述单元区的方向上延伸的第一长度比所述第二延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第二长度短，且

所述第三延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第三长度与所述第一长度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的所述第一延伸部到所述第三延伸部中的每一者的端部与所述边界元件隔离层交叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电层包括与所述边界元件隔离层交叠的第四延伸部，所述导电层的至少一部分在所述第二导电图案上，且

所述导电层在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第四长度比所述第一长度到第三长度中的每一者都长。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述边界元件隔离层包括在所述边界元件隔离层中的不与所述第一延伸部到所述第三延伸部交叠的凹陷部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

有源区，位于所述单元区的所述衬底中；

字线，沿第一方向延伸并延伸穿过所述有源区；以及

直接接触件，电性连接所述有源区及所述位线，

其中所述位线在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且延伸穿过所述有源区及所述字线，且

所述字线的上表面低于所述衬底的上表面。

6.一种半导体装置，包括：

衬底，包括单元区、核心区及设置在所述单元区与所述核心区之间的边界区；

边界元件隔离层，位于所述衬底的所述边界区中，以将所述单元区与所述核心区隔开；

高介电常数介电层，位于所述边界元件隔离层的至少一部分及所述衬底的所述核心区上；

第一导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第一延伸部且位于所述衬底上；

第二导电图案，包括与所述边界元件隔离层交叠的第二延伸部，所述第二导电图案的至少一部分位于所述第一导电图案上；

导电层，延伸到所述边界元件隔离层上，所述导电层的第一部分位于所述第二导电图案上；以及

位线，包括所述单元区上的所述导电层的第二部分，

其中所述第二延伸部比所述第一延伸部在从所述核心区朝所述单元区的方向上延伸得更远，且

所述边界元件隔离层包括不与所述第一延伸部及所述第二延伸部交叠的凹陷部。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述高介电常数介电层包括与所述边界元件隔离层交叠的第三延伸部，且

所述第一延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第一长度与所述第三延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸的第二长度相同。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述导电层包括与所述边界元件隔离层交叠的第四延伸部，所述导电层的至少一部分在所述第二导电图案上，且

所述第四延伸部比所述第一延伸部及所述第二延伸部在从所述核心区朝所述单元区的所述方向上延伸得更远。