[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

器件层；

第一介质层，位于所述器件层上；

导电层，位于所述第一介质层内；

刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；

第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及

接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；

其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层位于所述第一介质层以及所述导电层的表面，所述第二刻蚀停止层位于所述第一刻蚀停止层的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层包括碳掺杂的氮化硅层，所述第二刻蚀停止层包括氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层包括一层碳掺杂的氮化硅层或者多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，从所述第二刻蚀停止层到所述第一介质层的方向，所述多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层的碳含量依次递增。

6.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层中的碳含量为10％～45％。

7.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度为20nm～40nm。

8.根据权利要求1或4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二刻蚀停止层包括一层氮化硅层或者多层氮含量渐变的氮化硅层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，从所述第二介质层到所述第一刻蚀停止层的方向，所述多层氮含量渐变的氮化硅层的氮含量依次递增。

10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成器件层；

在所述器件层的表面上形成第一介质层；

在所述第一介质层内形成导电层；

在所述第一介质层以及所述导电层的表面上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层；以及

形成贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层的接触金属，所述接触金属与所述导电层导电连接；

其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的方法包括：

在所述第一介质层以及所述导电层的表面形成第一刻蚀停止层；以及

在第一刻蚀停止层的表面形成第二刻蚀停止层。

12.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层包括碳掺杂的氮化硅层，所述第二刻蚀停止层包括氮化硅层。

13.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层包括一层碳掺杂的氮化硅层或者多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，从所述第二刻蚀停止层到所述第一介质层的方向，所述多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层的碳含量依次递增。

15.根据权利要求10或13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层中的碳含量为10％～45％。

16.根据权利要求10或13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度为20nm～40nm。