[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构的制备方法

说明书

公开了一种半导体结构以及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：器件层；第一介质层，位于所述器件层上；导电层，位于所述第一介质层内；刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。本公开的刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层，以改善所述导电层表面产生孔洞的问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构以及半导体结构的制备方法。

背景技术

半导体制造的后端(Back End Of Line，BEOL)工序中会采用金属互连结构，金属互连结构是通过形成于介质层的接触孔(via)实现介质层上方的金属连线(contact)与介质层下方的导电层的互连。

在形成接触孔的过程中，通常需要在所述导电层表面形成刻蚀停止层。其中，在形成刻蚀停止层的过程中，所述导电层的表面会产生大量的孔洞(void)。孔洞(void)的存在会对所述导电层140的导电性能以及与后期的金属互连结构的电连接造成很大的影响。

发明内容

鉴于上述问题，本公开的目的在于提供一种半导体结构以及半导体结构的制备方法，以改善所述导电层表面产生孔洞的问题。

本公开第一方面提供一种半导体结构，包括：

器件层；

第一介质层，位于所述器件层上；

导电层，位于所述第一介质层内；

刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；

第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及

接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；

其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。

在一些实施例中，所述第一刻蚀停止层位于所述第一介质层以及所述导电层的表面，所述第二刻蚀停止层位于所述第一刻蚀停止层的表面。

在一些实施例中，所述第一刻蚀停止层为碳掺杂的氮化硅层，所述第二刻蚀停止层为氮化硅层。

在一些实施例中，所述第一刻蚀停止层包括一层碳掺杂的氮化硅层或者多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层。

在一些实施例中，从所述第二刻蚀停止层到所述第一介质层的方向，多层碳含量渐变的碳掺杂的氮化硅层的碳含量依次递增。

在一些实施例中，所述第一刻蚀停止层中的碳含量为10％～45％。

在一些实施例中，所述第一刻蚀停止层的厚度为20nm～40nm。

在一些实施例中，所述第二刻蚀停止层包括一层氮化硅层或者多层氮含量渐变的氮化硅层。

在一些实施例中，从所述第二介质层到所述第一刻蚀停止层的方向，多层氮含量渐变的氮化硅层的氮含量依次递增。

本发明的第二方面提供一种半导体结构的制备方法，包括：

形成器件层；

在所述器件层的表面上形成第一介质层；

在所述第一介质层内形成导电层；

在所述第一介质层以及所述导电层的表面上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层；以及

形成贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层的接触金属，所述接触金属与所述导电层导电连接；