[发明专利]碳化硅VDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.碳化硅VDMOS器件，包括壳体(1)和设置于所述壳体(1)内部的VDMOS器件本体(9)，其特征在于，所述VDMOS器件本体(9)包括衬底，所述衬底的一侧开设有第二凹槽(49)，所述第二凹槽(49)的数目为两组，两组所述第二凹槽(49)内部分别嵌有源极(43)和漏极(47)，所述源极(43)、所述漏极(47)均与所述衬底形成有PN结(48)，所述衬底的一侧固定连接有二氧化硅板(44)，所述二氧化硅板(44)的一侧设置有栅极(45)，所述栅极(45)、所述源极(43)和所述漏极(47)均与所述二氧化硅板(44)相接触，所述壳体(1)的两侧设置有散热组件，所述VDMOS器件本体(9)的顶部固定连接有连接柱(13)，所述壳体(1)的顶部内壁固定连接有用于对所述连接柱(13)进行固定夹持组件，所述壳体(1)的内部设置有导向组件，所述壳体(1)的底部开设有通槽(11)，所述衬底的一侧设置有封装板(46)，所述源极(43)、所述漏极(47)与所述栅极(45)均固定连接有针脚(10)，所述夹持组件包括设置于所述壳体(1)一侧内壁的升降组件，所述升降组件的一侧固定连接有横板(35)，所述横板(35)的底部外壁固定连接有活动件(19)，所述活动件(19)包括第一圆柱体(37)、圆台体(38)、第二圆柱体(42)和插柱(41)，所述壳体(1)的一侧内壁固定连接有定位柱(18)，所述定位柱(18)的一端固定连接有连接架(16)，所述连接架(16)的两端均固定连接有第一固定框(15)，所述第一固定框(15)的两侧内壁均转动连接有转动柱(29)，所述第一固定框(15)的中部设置有连接杆(17)，所述连接杆(17)的一侧开设有空腔，所述转动柱(29)的一端从所述空腔内部穿过，所述转动柱(29)的圆周外壁套接有复位卷簧(28)，所述连接杆(17)的一端开设有第一凹槽(40)，所述第一凹槽(40)的两侧内壁均转动连接有滚轮(39)，所述连接柱(13)的顶部开设有圆孔(14)，所述插柱(41)与所述圆孔(14)相适配，所述连接杆(17)远离所述滚轮(39)的一端固定连接有凸块(5)，所述连接柱(13)的圆周外壁开设有定位孔(12)，所述凸块(5)与所述定位孔(12)相配合，所述导向组件包括固定连接在所述壳体(1)两侧内壁的固定架(4)，所述固定架(4)远离所述壳体(1)内部的一端固定连接有第二斜板(36)，所述固定架(4)的一侧外壁固定连接有伸缩杆(26)，所述伸缩杆(26)的输出端固定连接有第二固定框(24)，所述第二固定框(24)的两侧内壁均转动连接有辊体(23)，所述伸缩杆(26)的圆周外壁套接有弹簧(27)，所述辊体(23)的圆周外壁与所述VDMOS器件本体(9)的一侧外壁相接触，所述壳体(1)的两侧内壁均固定连接有挡杆(3)，所述挡杆(3)位于所述固定架(4)的上方，所述散热组件包括开设在所述壳体(1)两侧内壁的散热槽(6)，所述散热槽(6)的两侧内壁固定连接有格栅本体(7)，所述格栅本体(7)在散热槽(6)内部呈等距离分布。

2.根据权利要求1所述的碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述升降组件包括固定连接在所述壳体(1)一侧内壁的支撑板(2)，所述支撑板(2)的顶部转动连接有螺纹丝杆(22)，所述螺纹丝杆(22)的一端延伸至所述壳体(1)的外部，所述螺纹丝杆(22)的一端固定连接有把手(20)，所述螺纹丝杆(22)的圆周外壁啮合有螺纹套筒(34)，所述横板(35)与所述螺纹套筒(34)固定连接。

3.根据权利要求2所述的碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述壳体(1)的一侧内壁开设有滑槽(21)，所述滑槽(21)的内部滑动连接有滑块(33)，所述滑块(33)的一侧固定连接有加强柱，所述滑块(33)通过所述加强柱与所述螺纹套筒(34)固定连接。

4.根据权利要求3所述的碳化硅VDMOS器件，其特征在于，所述格栅本体(7)包括第一挡板(30)、第二挡板(32)和第一斜板(31)，所述第一斜板(31)位于所述第一挡板(30)和第二挡板(32)中部，所述第一挡板(30)与所述第二挡板(32)规格相同，所述第一挡板(30)与所述第二挡板(32)接缝处形成有迷宫结构。