[发明专利]碳化硅VDMOS器件及其制作方法

说明书

本发明公开了碳化硅VDMOS器件及其制作方法，包括壳体和设置于所述壳体内部的VDMOS器件本体，所述VDMOS器件本体包括衬底，所述衬底的一侧开设有第二凹槽，所述第二凹槽的数目为两组，两组所述第二凹槽内部分别嵌有源极和漏极，所述源极、所述漏极均与所述衬底形成有PN结，所述衬底的一侧固定连接有二氧化硅板。本发明中一组格栅本体中第一挡板与另一组格栅本体中第二挡板的接缝处形成迷宫结构，从而能够使格栅本体在对壳体内部VDMOS器件本体进行散热的过程中起到良好的防尘效果，避免在散热的过程中有较多的灰尘进入壳体内部导致VDMOS器件本体损坏的情况发生。

技术领域

本发明涉及VDMOS器件领域，具体来说，涉及碳化硅VDMOS器件及其制作方法。

背景技术

VDMOS是垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管，场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

公开号为CN105225952A的中国发明专利文件，一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中，VDMOS器件，包括：N型衬底，还包括：位于N型衬底的第一表面上相对两侧的场氧化层；位于第一表面上的场氧化层之间的P型体区；位于P型体区上的N型源区；位于N型源区上的栅氧化层；位于栅氧化层上的具有开口的多晶硅层；位于场氧化层、多晶硅层以及栅氧化层上的介质层，介质层经刻蚀至P型体区，形成接触孔；位于介质层和P型体区上的第一金属层，第一金属层经光刻与刻蚀后形成VDMOS器件的栅极与源极的电极；位于N型衬底上与第一表面相对的第二表面上的第二金属层。该发明提供的方案完全避免了栅漏电容的存在，解决了平面型VDMOS器件的结构中栅漏之间存在电容影响动态特性的问题。

但是上述发明存在以下不足之处：并未对VDMOS器件设置保护外壳，使得VDMOS器件在后期使用的过程中更易出现损坏，同时该VDMOS器件也并未设置散热机构，从而使得VDMOS器件长期处于高温的工作环境，导致VDMOS管的使用寿命下降，不能满足人们的使用需求。因此，亟需碳化硅VDMOS器件及其制作方法来解决上述问题。因此，亟需碳化硅VDMOS器件及其制作方法来解决上述问题。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出碳化硅VDMOS器件，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

碳化硅VDMOS器件，包括壳体和设置于所述壳体内部的VDMOS器件本体，所述VDMOS器件本体包括衬底，所述衬底的一侧开设有第二凹槽，所述第二凹槽的数目为两组，两组所述第二凹槽内部分别嵌有源极和漏极，所述源极、所述漏极均与所述衬底形成有PN结，所述衬底的一侧固定连接有二氧化硅板，所述二氧化硅板的一侧设置有栅极，所述栅极、所述源极和所述漏极均与所述二氧化硅板相接触，所述壳体的两侧设置有散热组件，所述VDMOS器件本体的顶部固定连接有连接柱，所述壳体的顶部内壁固定连接有用于对所述连接柱进行固定夹持组件，所述壳体的内部设置有导向组件，所述壳体的底部开设有通槽，所述衬底的一侧设置有封装板，所述源极、所述漏极与所述栅极均固定连接有针脚。

进一步地，所述夹持组件包括设置于所述壳体一侧内壁的升降组件，所述升降组件的一侧固定连接有横板，所述横板的底部外壁固定连接有活动件，所述活动件包括第一圆柱体、圆台体、第二圆柱体和插柱，所述壳体的一侧内壁固定连接有定位柱，所述定位柱的一端固定连接有连接架，所述连接架的两端均固定连接有第一固定框，所述第一固定框的两侧内壁均转动连接有转动柱，所述第一固定框的中部设置有连接杆，所述连接杆的一侧开设有空腔，所述转动柱的一端从所述空腔内部穿过，所述转动柱的圆周外壁套接有复位卷簧，所述连接杆的一端开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁均转动连接有滚轮，所述连接柱的顶部开设有圆孔，所述插柱与所述圆孔相适配，所述连接杆远离所述滚轮的一端固定连接有凸块，所述连接柱的圆周外壁开设有定位孔，所述凸块与所述定位孔相配合。