[发明专利]一种PECVD反应装置

说明书

本发明提供了一种PECVD反应装置，涉及半导体技术领域。PECVD反应装置包括托盘组件、支撑盘、真空反应腔体、传动组件以及旋转升降机构。托盘组件和支撑盘均设置于真空反应腔体内，真空反应腔体为真空密封腔体，支撑盘用于承载晶圆，托盘组件用于对承载于支撑盘上的晶圆进行加工。传动组件的一端进入真空反应腔体并与支撑盘连接，另一端与旋转升降机构连接，旋转升降机构用于带动支撑盘进行升降和旋转运动。因此，本发明提供的PECVD反应装置采用模块化设计，整体结构简单，升降和旋转控制简单，加工效率高，能够精准且稳定地输送晶圆，从而提高晶圆加工工艺的均匀性及稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种PECVD反应装置。

背景技术

晶圆在进行等离子体增强化学气相沉积过程中，通常需要顶升机构以及旋转机构承载晶圆进行沉积工艺，然而现有的具有顶升和旋转功能的设备结构复杂，顶升和旋转过程繁多，导致在加工的过程中无法平稳、精准地将晶圆传送至各个位置，从而影响了晶圆的沉积工艺的均匀性及稳定性。

发明内容

本发明提供了一种PECVD反应装置，其整体结构简单，并能够精确、稳定地输送晶圆，保证晶圆加工工艺的均匀性及稳定性。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种PECVD反应装置，包括托盘组件、支撑盘、真空反应腔体、传动组件以及旋转升降机构；

所述托盘组件和所述支撑盘均设置于所述真空反应腔体内，所述真空反应腔体为真空密封腔体；

所述托盘组件包括间隔设置的第一托盘和第二托盘，所述支撑盘设置于所述第一托盘和所述第二托盘之间；

所述支撑盘均匀地环设有多组支撑手指，多组所述支撑手指均用于承载晶圆；

所述传动组件的一端进入所述真空反应腔体并与所述支撑盘连接，另一端与设置于所述真空反应腔体的外部的所述旋转升降机构连接；

所述旋转升降机构带动所述传动组件进行升降和旋转运动，所述传动组件带动支撑盘进行升降和旋转运动，以带动承载于所述支撑盘上的多组所述支撑手指上的多个所述晶圆进行升降和旋转运动。

在可选的实施方式中，所述传动组件包括传动杆和陶瓷连接件，所述传动杆的一端与所述旋转升降机构连接，另一端与所述陶瓷连接件连接，所述真空反应腔体的底部开设有贯穿孔，所述陶瓷连接件穿过所述贯穿孔与所述支撑盘连接，所述陶瓷连接件可在所述传动杆的带动下沿所述贯穿孔做升降运动。

在可选的实施方式中，所述PECVD反应装置还包括驱动机构，所述驱动机构与所述旋转升降机构连接，所述驱动机构用于向所述旋转升降机构输出动力，以驱动所述传动组件进行升降和旋转运动。

在可选的实施方式中，所述驱动机构包括驱动电机、减速器以及联轴器，所述驱动电机、所述减速器以及所述联轴器依次连接，所述联轴器与所述旋转升降机构连接。

在可选的实施方式中，所述旋转升降机构为顶升凸轮分割器。

在可选的实施方式中，所述支撑盘均匀地环设有六组所述支撑手指，所述顶升凸轮分割器为六工位顶升凸轮分割器；

或，所述支撑盘均匀地环设有八组所述支撑手指，所述顶升凸轮分割器为八工位顶升凸轮分割器。

在可选的实施方式中，所述第二托盘设置有多个工位，多个所述工位与多组所述支撑手指一一对应。

在可选的实施方式中，所述旋转升降机构用于带动所述支撑盘间歇旋转，以使任意一组所述支撑手指从该组所述支撑手指所在的所述工位旋转至相邻的另一所述工位。

在可选的实施方式中，所述旋转升降机构还用于带动所述支撑盘上升，并带动所述支撑盘旋转一个所述工位后带动所述支撑盘下降。