[发明专利]可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置

权利要求书

1.一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，包括：基座、机架、上抛光机构、下抛光机构、端面抛光机构、用于吸附固定半导体晶圆的吸盘和用于驱动所述吸盘转动从而带动半导体晶圆转动的旋转电机；所述机架固定至所述基座的上方；所述上抛光机构和所述端面抛光机构安装至所述机架；所述下抛光机构和所述旋转电机安装至所述基座；所述吸盘的直径小于半导体晶圆的直径；半导体晶圆位于所述吸盘上且所述吸盘吸附半导体晶圆的中部；

所述上抛光机构包括：上升降液压缸、上电机座、上电机和用于与半导体晶圆的上表面接触的上抛光件；所述上升降液压缸驱动所述上电机座升降运动；所述上升降液压缸安装至所述机架；所述上电机固定至所述上电机座；所述上电机驱动所述上抛光件转动；

所述下抛光机构包括：下升降液压缸、下电机座、下电机和用于与半导体晶圆的下表面接触的下抛光件；所述下升降液压缸驱动所述下电机座升降运动；所述下升降液压缸安装至所述基座；所述下电机固定至所述下电机座；所述下电机驱动所述下抛光件转动；

所述端面抛光机构包括：伸缩液压缸、伸缩电机座、伸缩电机和用于与半导体晶圆的端面接触进行抛光的端面抛光件；所述伸缩液压缸驱动所述伸缩电机座升降运动；所述伸缩液压缸安装至所述机架；所述伸缩电机固定至所述伸缩电机座；所述伸缩电机驱动所述端面抛光件转动；

所述可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有端面抛光状态和边缘抛光状态；

所述端面抛光状态时，所述端面抛光件与半导体晶圆的端面接触，而所述下抛光件和所述上抛光件不与半导体晶圆接触；

所述边缘抛光状态时，所述下抛光件和所述上抛光件分别与半导体晶圆的下表面和上表面接触而所述端面抛光件不与半导体晶圆接触；

首先在所述端面抛光状态下对半导体晶圆进行抛光，然后再进入所述边缘抛光状态对半条半导体晶圆进行抛光；

在所述端面抛光状态完成抛光后，所述伸缩液压缸收缩带动所述伸缩电机座运动从而使端面抛光件远离半导体晶圆，然后所述下升降液压缸和所述上升降液压缸分别驱动所述下电机座和所述上电机座向靠近半导体晶圆的方向运动使所述下抛光件和所述上抛光件分别接触半导体晶圆的下表面和上表面，从而进入所述边缘抛光状态。

2.根据权利要求1所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

所述可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有用于装载或拆卸半导体晶圆的初始状态；在所述初始状态时，而所述下抛光件、所述上抛光件和所述端面抛光件均不与半导体晶圆接触；在所述边缘抛光状态完成抛光后，所述下升降液压缸和所述上升降液压缸分别驱动所述下电机座和所述上电机座向远离半导体晶圆的方向运动使所述下抛光件和所述上抛光件分别脱离与半导体晶圆的接触。

3.根据权利要求2所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

在所述端面抛光状态时，所述上电机和所述下电机关闭，所述伸缩电机和所述旋转电机处于打开状态；在所述边缘抛光状态时，所述伸缩电机关闭，所述上电机、所述下电机和所述旋转电机处于打开状态。

4.根据权利要求3所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

在所述初始状态时，所述上电机、所述下电机、所述伸缩电机和所述旋转电机关闭。

5.根据权利要求1所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

所述机架安装有活动门和多个封闭板；所述活动门可转动地安装至所述机架；所述封闭板固定至所述机架；所述活动门和所述封闭板共同围成封闭空间；所述吸盘以及被所述吸盘吸附的半导体晶圆位于封闭空间内。

6.根据权利要求1所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

所述可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置还包括向半导体晶圆的上表面喷射抛光液的上喷射管和向半导体晶圆的下表面喷射抛光液的下喷射管。

7.根据权利要求6所述的可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，其特征在于，

所述基座的顶部形成有用于收集抛光液的集液槽。