[发明专利]可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置

说明书

本发明涉及一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，包括：基座、机架、上抛光机构、下抛光机构、端面抛光机构、用于吸附固定半导体晶圆的吸盘和用于驱动吸盘转动从而带动半导体晶圆转动的旋转电机；机架固定至基座的上方；上抛光机构和端面抛光机构安装至机架；下抛光机构和旋转电机安装至基座；吸盘的直径小于半导体晶圆的直径；半导体晶圆位于吸盘上且吸盘吸附半导体晶圆的中部；可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有端面抛光状态和边缘抛光状态。本发明的有益效果是：可以在局部抛光过程中，完全去除正反两面的环形氧化层。

技术领域

本发明涉及一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置。

背景技术

半导体制造工艺中，晶圆的抛光通常需要经过如下几个步骤：

1、粗抛光，即同时对晶圆的正反两面进行抛光。

2、在半导体晶圆的正反两面上分别形成环形氧化层，环形氧化层覆盖半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域；

3、局部抛光，即对晶圆的边缘部分进行局部的镜面抛光，同时去除环形氧化层。

4、精抛光，即对晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。

传统的局部抛光设备，着重对端面进行抛光，正反两面的环形氧化层去除并不完全，残留的部分主要在精抛光过程中去除，使得抛光效率低下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置，包括：基座、机架、上抛光机构、下抛光机构、端面抛光机构、用于吸附固定半导体晶圆的吸盘和用于驱动吸盘转动从而带动半导体晶圆转动的旋转电机；机架固定至基座的上方；上抛光机构和端面抛光机构安装至机架；下抛光机构和旋转电机安装至基座；吸盘的直径小于半导体晶圆的直径；半导体晶圆位于吸盘上且吸盘吸附半导体晶圆的中部；

上抛光机构包括：上升降液压缸、上电机座、上电机和用于与半导体晶圆的上表面接触的上抛光件；上升降液压缸驱动上电机座升降运动；上升降液压缸安装至机架；上电机固定至上电机座；上电机驱动上抛光件转动；

下抛光机构包括：下升降液压缸、下电机座、下电机和用于与半导体晶圆的下表面接触的下抛光件；下升降液压缸驱动下电机座升降运动；下升降液压缸安装至基座；下电机固定至下电机座；下电机驱动下抛光件转动；

端面抛光机构包括：伸缩液压缸、伸缩电机座、伸缩电机和用于与半导体晶圆的端面接触进行抛光的端面抛光件；伸缩液压缸驱动伸缩电机座升降运动；伸缩液压缸安装至机架；伸缩电机固定至伸缩电机座；伸缩电机驱动端面抛光件转动；

可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有端面抛光状态和边缘抛光状态；

端面抛光状态时，端面抛光件与半导体晶圆的端面接触，而下抛光件和上抛光件不与半导体晶圆接触；

边缘抛光状态时，下抛光件和上抛光件分别与半导体晶圆的下表面和上表面接触而端面抛光件不与半导体晶圆接触；

首先在端面抛光状态下对半导体晶圆进行抛光，然后再进入边缘抛光状态对半条半导体晶圆进行抛光；

在端面抛光状态完成抛光后，伸缩液压缸收缩带动伸缩电机座运动从而使端面抛光件远离半导体晶圆，然后下升降液压缸和上升降液压缸分别驱动下电机座和上电机座向靠近半导体晶圆的方向运动使下抛光件和上抛光件分别接触半导体晶圆的下表面和上表面，从而进入边缘抛光状态。

作为本发明进一步的方案：可完全去除环形氧化层的半导体晶圆抛光装置具有用于装载或拆卸半导体晶圆的初始状态；在初始状态时，而下抛光件、上抛光件和端面抛光件均不与半导体晶圆接触；在边缘抛光状态完成抛光后，下升降液压缸和上升降液压缸分别驱动下电机座和上电机座向远离半导体晶圆的方向运动使下抛光件和上抛光件分别脱离与半导体晶圆的接触。