[发明专利]一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备

权利要求书

1.一种硅片切割原料处理方法，其特征在于，该方法包括：

对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值；

根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度；

根据所述实时测量点的横纵坐标，计算线痕长度和线痕宽度；

根据所述最大线痕深度和所述线痕宽度计算循环次数；

根据所述线痕长度和所述线痕宽度计算颗粒大小修正值；

根据所述循环次数和所述颗粒大小修正值对所述硅片进行表面处理，以完成硅片切割。

2.如权利要求1所述的硅片切割原料处理方法，其特征在于，所述对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值，具体包括：

按照固定周期对所述硅片的表面进行图像采集，得到若干张表面图像；

对每张所述表面图像计算颜色梯度变化；

根据颜色梯度变化大小对所有所述表面图像的颜色梯度变化进行排序，并计算位于前列的若干个颜色梯度变化的平均值作为所述表面光滑度；

对最新采集到的表面图像进行灰度化处理，得到灰度图；其中，所述灰度图的尺寸与所述硅片的尺寸相同；

根据所述灰度图，获得每个所述实时测量点的灰度值。

3.如权利要求1所述的硅片切割原料处理方法，其特征在于，所述根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度，具体包括：

设置表面光滑度基值；

根据所述表面光滑度基值，判断所述表面光滑度是否满足预设的表面光滑度约束条件；

所述表面光滑度约束条件为：

DL₀

其中，D为所述表面光滑度，L₀为所述表面光滑度基值；

当满足所述表面光滑度约束条件时，触发线痕采集命令；

响应于所述线痕采集命令，根据所述实时测量点的灰度值，利用第一计算公式计算对应实时测量点的线痕深度；

从所有的实时测量点的线痕深度中提取最大值作为所述最大线痕深度；

所述第一计算公式为：

S_i=K(H_i-H₀)

其中，S_i为第i个实时测量点的线痕深度，K为预设的色差转换系数，H_i为第i个实时测量点的灰度值，H₀为预设的基础灰度值。