[发明专利]一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备

说明书

本发明提供了一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备。该方案包括对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值；根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度；根据所述实时测量点的横纵坐标，计算线痕长度和线痕宽度；根据所述最大线痕深度和所述线痕宽度计算循环次数；根据所述线痕长度和所述线痕宽度计算颗粒大小修正值；根据所述循环次数和所述颗粒大小修正值对所述硅片进行表面处理，以完成硅片切割。本发明方案中，对原料来料进行表面处理，进而进行部分分离和循环料清洗，提升硅片的清洗使用率，降低成本，保障原料品质。

技术领域

本发明涉及太阳能设备技术领域，更具体地，涉及一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备。

背景技术

随着单晶制造行业不断发展，单晶硅的制造成本已经成为目前行业内的关注焦点，而在制造单晶硅过程中需要考虑如何提高硅片的清洗使用率，进而降低生产制造成本。

现有的处理方法是通过酸浸泡去除金属，但是由于切割断线原料内部情况不能确定，浸泡效果不能准确确认，导致原料来料进行表面处理的效果差，原料内部常常持续多线孔线痕，且线孔线痕内部极易出现金属钢线，无法保障原料品质。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种硅片切割原料处理方法、系统、介质及设备，能有效提升对原料来料表面处理的效果，从而提升硅片的清洗使用率，降低成本，保障原料品质。

根据本发明实施例第一方面，提供一种硅片切割原料处理方法，包括：

对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值；

根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度；

根据所述实时测量点的横纵坐标，计算线痕长度和线痕宽度；

根据所述最大线痕深度和所述线痕宽度计算循环次数；

根据所述线痕长度和所述线痕宽度计算颗粒大小修正值；

根据所述循环次数和所述颗粒大小修正值对所述硅片进行表面处理，以完成硅片切割。

优选地，所述对硅片的表面进行图像采集，并根据采集到的表面图像，获得所述硅片的表面光滑度和所述硅片上设定的实时测量点的灰度值，具体包括：

按照固定周期对所述硅片的表面进行图像采集，得到若干张表面图像；

对每张所述表面图像计算颜色梯度变化；

根据颜色梯度变化大小对所有所述表面图像的颜色梯度变化进行排序，并计算位于前列的若干个颜色梯度变化的平均值作为所述表面光滑度；

对最新采集到的表面图像进行灰度化处理，得到灰度图；其中，所述灰度图的尺寸与所述硅片的尺寸相同；

根据所述灰度图，获得每个所述实时测量点的灰度值。

优选地，所述根据所述表面光滑度和所述实时测量点的灰度值，计算最大线痕深度，具体包括：

设置表面光滑度基值；

根据所述表面光滑度基值，判断所述表面光滑度是否满足预设的表面光滑度约束条件；

所述表面光滑度约束条件为：

DL₀

其中，D为所述表面光滑度，L₀为所述表面光滑度基值；