[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源图案，包括下部图案和片状图案，片状图案在第一方向上与下部图案间隔开；

源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及

栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，

其中，源/漏图案包括：

第一外延区域，包括第一杂质，第一杂质包括锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括第二杂质，第二杂质包括磷。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

源/漏图案还包括沿第一外延区域的底部的上表面的第三外延区域，第三外延区域与片状图案接触，并且

第三外延区域包括第三杂质，第三杂质包括砷。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，第三外延区域包括：

底部，与第一外延区域的底部接触；以及

侧壁部，与片状图案接触，第三外延区域的底部不与第三外延区域的侧壁部接触。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中：

栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且

第三外延区域的侧壁部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中：

栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且

第三外延区域沿第一外延区域的底部的上表面、内间隔件和片状图案是连续的。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，以1E20(/cm³)至2E21(/cm³)的浓度包括第三杂质。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

第一外延区域还包括与片状图案接触的侧壁部，并且

第一外延区域的侧壁部不与第一外延区域的底部接触。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，第二外延区域与第一外延区域的侧壁部和底部接触。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中：

栅极结构包括在沿第一方向彼此相邻的片状图案之间的内间隔件，并且

第一外延区域的侧壁部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中：

第一外延区域的侧壁部包括在第一方向上彼此间隔开的第一侧壁部和第二侧壁部，

源/漏图案还包括连接第一外延区域的第一侧壁部和第二侧壁部的第三外延区域，并且

第三外延区域掺杂有砷。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

片状图案包括最下面的片状图案，最下面的片状图案是与下部图案最接近的片状图案，

栅极结构包括在最下面的片状图案与下部图案之间的内间隔件，并且

第一外延区域的底部覆盖内间隔件的侧壁的一部分。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

第一杂质的浓度为5E19(/cm³)至3E21(/cm³)，并且

第二杂质的浓度为2E21(/cm³)至6E21(/cm³)。