[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。

本申请要求于2021年8月9日提交的第10-2021-0104357号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，具体地，涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(MBCFET^TM)的半导体装置。

背景技术

作为用于增加半导体装置的密度的微缩技术，已经提出了多栅晶体管，其中，在基底上形成鳍型或纳米线型多沟道有源图案(或硅体)，并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极。由于多栅晶体管使用三维(3D)沟道，因此可以促进微缩。此外，可以在不增加多栅晶体管的栅极长度的情况下改善电流控制能力。此外，可以有效地抑制短沟道效应(SCE)，即，其中沟道区的电位受漏极电压影响的现象。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；源/漏图案，设置在下部图案上并且与片状图案接触；以及栅极结构，设置在源/漏图案的在第二方向上的两侧上并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，包括第一杂质；以及第二外延区域，在第一外延区域上，并且包括不同于第一杂质的第二杂质，第一外延区域包括与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，第一杂质包括锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种，第二杂质包括磷(P)，并且第一外延区域的底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；源/漏图案，设置在下部图案上并与片状图案接触；以及栅极结构，设置在源/漏图案的在第二方向上的两侧上并包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，与下部图案接触，第二外延区域，与片状图案接触；以及第三外延区域，在第一外延区域和第二外延区域上，第一外延区域包括掺杂有锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种的硅，第二外延区域包括掺杂有砷(As)的硅(Si)，并且第三外延区域包括掺杂有磷(P)的硅。

根据本公开的又一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案，片状图案包括最下面的片状图案，最下面的片状图案是与下部图案最接近的片状图案；源/漏图案，设置在下部图案上并与片状图案接触；以及栅极结构，设置在源/漏图案的在第二方向上的两侧上并包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，掺杂有锑(Sb)；以及第二外延区域，掺杂有磷(P)，栅极结构包括在下部图案与最下面的片状图案之间的最下面的内间隔件，并且第一外延区域与下部图案接触并且包括覆盖最下面的内间隔件的侧壁的一部分的底部。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图；

图2是沿图1的线A-A截取的剖视图；

图3是沿图1的线B-B截取的剖视图；

图4是沿图1的线C-C截取的剖视图；

图5和图6分别是图2的区域P和区域Q的放大剖视图；

图7是示出沿图2的“线”的碳(C)的浓度的图；