[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底内设置有阱区，在所述衬底表面设置有栅极结构，所述阱区与所述栅极结构重叠的区域构成沟道区；

在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙；

在所述栅极结构两侧暴露的阱区表面形成抬高层；

在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区；

在所述第一侧墙侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙还覆盖所述抬高层的部分表面；

在所述抬高层暴露的表面及所述阱区对应区域中形成源漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙的步骤中，所述第一侧墙还覆盖所述栅极结构的顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧暴露的阱区表面形成抬高层的步骤中，采用外延工艺形成所述抬高层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区的步骤中，对所述阱区及所述抬高层采用垂直离子注入工艺形成所述轻掺杂区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区的步骤之后还包括：晕环注入形成晕环区。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区的步骤之后还包括：退火。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述阱区及所述抬高层中形成轻掺杂区的步骤之后还包括：在所述轻掺杂区与所述第一侧墙接触处，减薄所述轻掺杂区。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在减薄所述轻掺杂区的步骤中，所述轻掺杂区与所述第一侧墙接触处被全部或部分去除，形成第一凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一侧墙侧壁形成第二侧墙的步骤中，所述第二侧墙至少覆盖所述第一凹槽。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，在所述衬底内设置有阱区，在所述衬底表面设置有栅极结构，所述阱区与所述栅极结构重叠的区域构成沟道区；

第一侧墙，覆盖所述栅极结构侧壁；

轻掺杂区，设置在所述阱区内，且所述轻掺杂区的至少部分表面高于所述栅极结构与所述阱区的接触面；

第二侧墙，设置在所述第一侧墙的侧壁，且覆盖所述轻掺杂区表面；

源漏区，设置在所述阱区内，且位于所述轻掺杂区远离所述栅极结构的一侧，所述源漏区的表面高于所述栅极结构与所述阱区的接触面。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙和/或所述第二侧墙的材料为低介电常数材料。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述轻掺杂区侧壁与所述第一侧墙接触。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述轻掺杂区与所述第一侧墙接触处具有第一凹槽，所述第二侧墙至少填充所述第一凹槽。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括晕环注入形成的晕环区，所述晕环区设置在所述阱区内。