[发明专利]一种陶瓷电容器的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电容器的制造方法，其特征在于包括下述步骤：

（1）将烧结得到的陶瓷电容器介质片清洗干净并烘干；

（2）在经步骤（1）处理的陶瓷电容器介质片的两面上制作电极，得到陶瓷电容器芯片；

（3）磨削除去陶瓷电容器芯片的边缘部分；

（4）将经过磨削的陶瓷电容器芯片清洗干净并烘干；

（5）在经步骤（4）处理的陶瓷电容器芯片上焊接引脚，并进行包封，得到陶瓷电容器。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（1）中，可以采用水对烧结得到的陶瓷电容器介质片进行清洗，采用烘箱进行烘干，烘干温度为80-100℃。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（2）中，采用真空溅射的方式，在陶瓷电容器介质片的两面上制作铜电极。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（2）中，采用印刷铜电极浆料或银电极浆料并烘干的方式，在陶瓷电容器介质片的两面上制作铜电极或银电极。

5.根据权利要求1所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（3）中，将多个陶瓷电容器芯片叠置成串后用夹具压紧，再将成串的陶瓷电容器芯片转移至无心磨床，由无心磨床对陶瓷电容器芯片进行磨削，除去陶瓷电容器芯片的边缘部分。

6.根据权利要求1或5所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：所述陶瓷电容器介质片为圆片状，相应的，陶瓷电容器芯片也为圆片状，经无心磨床磨削除去陶瓷电容器芯片的边缘部分，使陶瓷电容器芯片的半径减小。

7.根据权利要求6所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：通过磨削使圆片状陶瓷电容器介质片的半径减小0.1mm。

8.根据权利要求1或5所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（3）中，经过磨削的陶瓷电容器芯片中，陶瓷电容器介质片两面上的电极将相应的面完全覆盖。

9.根据权利要求1所述的陶瓷电容器的制造方法，其特征是：步骤（4）中，采用水对经过磨削的陶瓷电容器芯片进行清洗，采用烘箱进行烘干，烘干温度为80-100℃。