[发明专利]一种陶瓷电容器的制造方法在审
申请号: | 202210632263.9 | 申请日: | 2022-06-07 |
公开(公告)号: | CN114937558A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 肖文华;陈映义;牛继恩;陈睿敏;赖伟生 | 申请(专利权)人: | 汕头市瑞升电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/012 | 分类号: | H01G4/012;H01G4/12 |
代理公司: | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人: | 林天普;朱明华 |
地址: | 515000 广东省汕头*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
一种陶瓷电容器的制造方法,包括下述步骤:(1)将烧结得到的陶瓷电容器介质片清洗干净并烘干;(2)在经步骤(1)处理的陶瓷电容器介质片的两面上制作电极,得到陶瓷电容器芯片;(3)磨削除去陶瓷电容器芯片的边缘部分;(4)将经过磨削的陶瓷电容器芯片清洗干净并烘干;(5)在经步骤(4)处理的陶瓷电容器芯片上焊接引脚,并进行包封,得到陶瓷电容器。本发明通过磨削加工除去陶瓷电容器介质片的边缘部位,消除陶瓷电容器介质片的边缘缺陷,可显著提高陶瓷电容器的击穿电压。另外,本发明相对于现有技术,只需增加磨削加工工序和磨削后的清洗工序,生产成本只是略有增加。
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种陶瓷电容器的制造方法。
背景技术
目前,陶瓷电容器特别是超高压陶瓷电容器普遍存在的缺陷是边缘击穿,导致陶瓷电容器损坏。陶瓷电容器介质片的边缘是整个陶瓷电容器介质片最薄弱的环节,在陶瓷电容器加上高电压时,电场从该最薄弱的环节击穿陶瓷电容器,即边缘击穿。
究其原因,主要是陶瓷电容器介质片在烧结时,其边缘部位的排气孔没有密合,或者边缘部位存在成分挥发、染污等情况,从而在陶瓷电容器介质片的边缘形成蜂窝状结构;另外,在生产过程中陶瓷电容器介质片边缘受到碰撞而会出现破损。以上各种原因导致陶瓷电容器介质片的边缘是缺陷集中的主要区域,使得陶瓷电容器的击穿经常发生在边缘区域。
为提高陶瓷电容器的击穿电压,减少或避免陶瓷电容器介质片的边缘区域对击穿电压的不利影响,目前常用的方法是:在陶瓷电容器介质片的两面制作电极时,使电极处在陶瓷电容器介质片两面的中心区域,陶瓷电容器介质片两面的边缘区域则留空。适当减小电极面积,使陶瓷电容器介质片的边缘部位没有被电极覆盖,有利于提高击穿电压。但在实践中发现,采用以上方法无法从根本上解决击穿电压较低的问题,原因在于:随着电极面积的减小,陶瓷电容器的击穿电压也会相应降低;适当增大电极的面积,有利于提高陶瓷电容器的击穿电压,但是,随着电极面积的增大,当电极边缘接近陶瓷电容器介质片的边缘时,击穿电压反而降低。因此,实践中难以精准把握陶瓷电容器介质片两面的边缘区域的留空比率。陶瓷电容器介质片的边缘缺陷对击穿电压的不利影响仍无法根除。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种陶瓷电容器的制造方法,采用这种制造方法能够消除陶瓷电容器介质片的边缘缺陷,有利于提高陶瓷电容器的击穿电压。采用的技术方案如下:
一种陶瓷电容器的制造方法,其特征在于包括下述步骤:
(1)将烧结得到的陶瓷电容器介质片清洗干净并烘干;
(2)在经步骤(1)处理的陶瓷电容器介质片的两面上制作电极,得到陶瓷电容器芯片;
(3)磨削除去陶瓷电容器芯片的边缘部分;
(4)将经过磨削的陶瓷电容器芯片清洗干净并烘干;
(5)在经步骤(4)处理的陶瓷电容器芯片上焊接引脚,并进行包封,得到陶瓷电容器。
步骤(1)中,可以采用水对烧结得到的陶瓷电容器介质片进行清洗,采用烘箱进行烘干(优选烘干温度为80-100℃)。
一种具体方案中,步骤(2)中,采用真空溅射的方式,在陶瓷电容器介质片的两面上制作铜电极。由于真空溅射过程中,会有少量铜分子被溅射到陶瓷电容器介质片的边缘部位上,从而降低产品的耐电压,因此,在采用真空溅射的方式制作铜电极的情况下,必须在制作铜电极后再进行磨削。
另一种具体方案中,步骤(2)中,采用印刷铜电极浆料或银电极浆料并烘干的方式,在陶瓷电容器介质片的两面上制作铜电极或银电极。印刷过程中无法完全避免电极浆料粘附到陶瓷电容器介质片的边缘部位上,而粘附在陶瓷电容器介质片的边缘部位上的电极浆料烘干后,同样会降低产品的耐电压,因此,也需在制作电极后再进行磨削。
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