[发明专利]半导体器件的封装结构及其封装方法及电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体具有容纳腔；所述容纳腔具有开口；所述壳体的侧壁固定有多个第一电极管脚，所述第一电极管脚的一端位于所述容纳腔的内部，另一端穿过所述壳体的侧壁，位于所述容纳腔的外部；

基板，所述基板固定在所述容纳腔的底部；

多个半导体器件，所述半导体器件固定在所述基板上；所述半导体器件与所述基板连接，通过所述基板与所述第一电极管脚连接；

封帽，所述封帽用于密封所述容纳腔的开口。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述壳体背离所述容纳腔的一侧表面具有流道，所述流道用于引流冷却液体。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板为双面覆铜陶瓷基板，所述双面覆铜陶瓷基板包括：

陶瓷层，所述陶瓷层具有相对的第一表面和第二表面；

第一铜层，所述第一铜层位于所述第一表面；所述第一铜层具有用于固定连接所述半导体器件的器件区；

第二铜层，所述第二铜层位于所述第二表面；所述第二铜层用于与所述容纳腔的底部固定。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件通过第一烧结层固定连接在所述基板背离所述容纳腔底部一侧的表面上；

所述基板背离所述半导体器件的一侧表面通过第二烧结层固定连接在所述容纳腔的底部。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件通过所述基板以及键合线形成互联电路。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件包括碳化硅MOSFET芯片、碳化硅二极管芯片以及碳化硅IGBT芯片中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件均为二极管，所述互联电路为多个所述二极管互联形成的整流桥电路。

8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括：

两个第二电极管脚，所述第二电极管脚的一端位于所述容纳腔的内部，另一端穿过所述壳体的侧壁，位于所述容纳腔的外部；

热敏电阻，所述热敏电阻固定在所述基板上，所述热敏电阻的两端通过所述基板分别连接一个所述第二电极管脚。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的封装结构。

10.一种封装方法，用于制备如权利要求1-8任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装方法包括：

在基板上固定连接半导体器件；

将所述基板背离所述半导体器件的一侧表面与固定在壳体内；其中，所述壳体具有容纳腔，所述容纳腔具有开口；所述基板背离所述半导体器件的一侧表面固定在所述容纳腔的底部；所述壳体的侧壁固定有多个第一电极管脚，所述第一电极管脚的一端位于所述容纳腔的内部，另一端穿过所述壳体的侧壁，位于所述容纳腔的外部；

将所述基板与所述第一管脚连接；

通过封帽对所述容纳腔进行密封。