[发明专利]半导体器件的封装结构及其封装方法及电子设备在审
申请号: | 202210633880.0 | 申请日: | 2022-06-07 |
公开(公告)号: | CN114944365A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 王志超 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07;H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 结构 及其 方法 电子设备 | ||
本申请公开了一种半导体器件的封装结构及其封装方法及电子设备,所述封装结构包括:壳体,所述壳体具有容纳腔;所述容纳腔具有开口;所述壳体的侧壁固定有多个第一电极管脚,所述第一电极管脚的一端位于所述容纳腔的内部,另一端穿过所述壳体的侧壁,位于所述容纳腔的外部;基板,所述基板固定在所述容纳腔的底部;多个半导体器件,所述半导体器件固定在所述基板上;所述半导体器件与所述基板连接,通过所述基板与所述第一电极管脚连接;封帽,所述封帽用于密封所述容纳腔的开口。本申请技术方案通过同一壳体同时对多个半导体器件进行封装,相对于多个半导体器件分别独立进行塑封封装的方式,降低了电路系统的体积,便于设备小型化设计。
技术领域
本申请涉及半导体器件封装结构技术领域,更具体的说,涉及一种半导体器件的封装结构及其封装方法及电子设备。
背景技术
随着科学技术的不断进步,越来越多的电子设备被广泛应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
电子设备实现各种功能的主要部件是集成电路,而半导体器件是集成电路中的重要电子元件。为了对半导体器件进行保护,也为了便于半导体器件的电路互联,一般需要通过封装工艺对半导体器件需要进行封装保护,形成封装结构。
现有封装技术中,一般是对单个半导体器件进行塑封封装,形成封装结构。对于需要多个半导体器件的互联电路,各个半导体器件独立的封装方式,导致电路系统体积较大,不便于设备小型化设计。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种半导体器件的封装结构及其封装方法及电子设备,方案如下:
一种半导体器件的封装结构,包括:
壳体,所述壳体具有容纳腔;所述容纳腔具有开口;所述壳体的侧壁固定有多个第一电极管脚,所述第一电极管脚的一端位于所述容纳腔的内部,另一端穿过所述壳体的侧壁,位于所述容纳腔的外部;
基板,所述基板固定在所述容纳腔的底部;
多个半导体器件,所述半导体器件固定在所述基板上;所述半导体器件与所述基板连接,通过所述基板与所述第一电极管脚连接;
封帽,所述封帽用于密封所述容纳腔的开口。
优选的,在上述封装结构中,所述壳体背离所述容纳腔的一侧表面具有流道,所述流道用于引流冷却液体。
优选的,在上述封装结构中,所述基板为双面覆铜陶瓷基板,所述双面覆铜陶瓷基板包括:
陶瓷层,所述陶瓷层具有相对的第一表面和第二表面;
第一铜层,所述第一铜层位于所述第一表面;所述第一铜层具有用于固定连接所述半导体器件的器件区;
第二铜层,所述第二铜层位于所述第二表面;所述第二铜层用于与所述容纳腔的底部固定。
优选的,在上述封装结构中,所述半导体器件通过第一烧结层固定连接在所述基板背离所述容纳腔底部一侧的表面上;
所述基板背离所述半导体器件的一侧表面通过第二烧结层固定连接在所述容纳腔的底部。
优选的,在上述封装结构中,所述半导体器件通过所述基板以及键合线形成互联电路。
优选的,在上述封装结构中,所述半导体器件包括碳化硅MOSFET芯片、碳化硅二极管芯片以及碳化硅IGBT芯片中的至少一种。
优选的,在上述封装结构中,所述半导体器件均为二极管,所述互联电路为多个所述二极管互联形成的整流桥电路。
优选的,在上述封装结构中,还包括:
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