[发明专利]测试垫处理方法以及半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种测试垫处理方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有第一绝缘介质层以及位于所述第一绝缘介质层中的第一测试垫，所述第一绝缘介质层暴露出所述第一测试垫的至少部分表面，且所述第一绝缘介质层所暴露出的所述第一测试垫的表面形成有探针测试导致的针痕凸起；

采用激光退火工艺加热熔化所述针痕凸起，以减小所述针痕凸起的高度。

2.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述针痕凸起从所述第一测试垫表面延伸超过所述第一绝缘介质层表面。

3.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述激光退火工艺采用的激光为单色激光或至少两种单色激光的叠加。

4.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，采用所述激光退火工艺加热熔化所述针痕凸起使所述针痕凸起与所述第一测试垫熔合以去除所述针痕凸起。

5.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述激光退火工艺所采用激光的能量密度为使得所述加热温度至少达到所述第一测试垫的材质熔点。

6.如权利要求5所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述第一测试垫材质为包含铝和铜的金属合金，所述加热温度为600℃～700℃。

7.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述激光退火工艺采用面斑持续照射或点扫描照射，照射区域不超过所述第一绝缘介质层暴露出的所述第一测试垫。

8.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，所述第一测试垫的底面的温度不高于500℃。

9.如权利要求1所述的测试垫处理方法，其特征在于，采用激光退火工艺加热熔化所述针痕凸起之后，所述测试垫处理方法还包括：清洗所述第一测试垫的表面。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有第一绝缘介质层以及位于所述第一绝缘介质层中的第一测试垫，所述第一绝缘介质层暴露出所述第一测试垫的至少部分表面，且所述第一绝缘介质层所暴露出的所述第一测试垫的表面形成有探针测试导致的针痕凸起；

采用激光退火工艺加热熔化所述针痕凸起，以减小所述针痕凸起的高度；

形成第二绝缘介质层覆盖于所述第一测试垫和所述第一绝缘介质层上；

对所述第二绝缘介质层执行平坦化工艺，减小后的所述针痕凸起高度低于所述平坦化工艺后的所述第二绝缘介质层的表面。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用所述激光退火工艺加热熔化所述针痕凸起使所述针痕凸起与所述第一测试垫熔合以去除所述针痕凸起。

12.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层中形成有金属互连结构，所述第一测试垫的底部与所述金属互连结构电性连接；所述半导体器件的制备方法还包括：

提供一晶圆或芯片，将所述第二绝缘介质层远离所述衬底的一面键合于所述晶圆或所述芯片上。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第二绝缘介质层执行平坦化工艺之后以及在将所述第二绝缘介质层远离所述衬底的一面键合于所述晶圆或所述芯片上之前，所述半导体器件的制备方法还包括：

形成导电结构于所述第二绝缘介质层中，所述导电结构与所述第一测试垫电性连接；

或者，在将所述第二绝缘介质层远离所述衬底的一面键合于所述晶圆或所述芯片上之后，所述半导体器件的制备方法还包括：

形成贯穿所述晶圆或所述芯片且延伸至所述第二绝缘介质层中的导电结构，所述导电结构与所述第一测试垫电性连接。

14.如权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层中还形成有第二测试垫，所述第二测试垫的底部与所述金属互连结构电性连接；在对所述第二绝缘介质层执行平坦化工艺之后以及在将所述第二绝缘介质层远离所述衬底的一面键合于所述晶圆或所述芯片上之前，所述半导体器件的制备方法还包括：

形成贯穿所述第二绝缘介质层且延伸至所述第一绝缘介质层的导电结构，所述导电结构与所述第二测试垫电性连接；

或者，在将所述第二绝缘介质层远离所述衬底的一面键合于所述晶圆或所述芯片上之后，所述半导体器件的制备方法还包括：

形成贯穿所述晶圆或所述芯片以及所述第二绝缘介质层且延伸至所述第一绝缘介质层中的导电结构，所述导电结构与所述第二测试垫电性连接。