[发明专利]晶片电阻器以及晶片电阻器的制造方法在审
申请号: | 202210644376.0 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN115472359A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 冈直人 | 申请(专利权)人: | KOA株式会社 |
主分类号: | H01C1/032 | 分类号: | H01C1/032;H01C1/14;H01C10/00;H01C17/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本长野*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 电阻器 以及 制造 方法 | ||
1.一种晶片电阻器的制造方法,其特征在于,包含:
电阻体形成步骤,是于由设定有格子状延伸的一次分割预想线及二次分割预想线的大尺寸基板的主面的该二次分割预想线所包夹的区域内,跨过该一次分割预想线形成带状延伸的多个电阻体;
电极形成步骤,是在该电阻体上保持既定间隔以跨过该一次分割预想线的方式形成对向的多个电极;
玻璃涂层形成步骤,是与从该电极露出的该电阻体交叉而跨过该二次分割预想线形成带状延伸的玻璃涂层;
电阻值调整步骤,是从该玻璃涂层之上照射激光并调整该电阻体的电阻值;
树脂涂层形成步骤,是于该电阻值调整步骤后,从该玻璃涂层之上形成树脂涂层,以覆盖该大尺寸基板的主面全体;
切割步骤,是于该树脂涂层形成步骤后,沿着该一次分割预想线及该二次分割预想线以切割刀片切断该大尺寸基板而形成各个晶片坯体;及
端面电极形成步骤,是从沿着该晶片坯体的该一次分割预想线的切断面至沿着该二次分割预想线的切断面的一部分涂布导电膏而形成帽状的端面电极。
2.根据权利要求1所述的晶片电阻器的制造方法,其中,
该电极,是形成为以沿着该晶片坯体的该一次分割预想线的切断面作为最大的膜厚,并随着从该切断面往内侧远离而膜厚逐渐变薄。
3.根据权利要求1或2所述的晶片电阻器的制造方法,其中,
该树脂涂层是由透明或半透明的树脂材料所构成。
4.一种晶片电阻器,其特征在于,具备:
长方体形状的绝缘基板;
于该绝缘基板的主面上沿着长边方向所形成的带状的电阻体;
于该电阻体的表面的长边方向两端部所形成的一对的电极;
覆盖包含该电阻体及该两电极的该绝缘基板的主面全体的绝缘性的保护层;及
设置于该绝缘基板的长边方向两端部并连接于该电阻体及该电极以及该保护层的各端面的一对的帽状的端面电极,
该保护层,是由覆盖该电阻体的玻璃涂层、及覆盖该玻璃涂层的树脂涂层所构成,
该玻璃涂层是从该绝缘基板的短边方向两端面露出至外部。
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