[发明专利]晶片电阻器以及晶片电阻器的制造方法

说明书

本发明提供一种制造步骤单纯且适合小型化的晶片电阻器。本发明的晶片电阻器的制造方法中，是由在大尺寸基板(10A)上所设定的二次分割预想线(L2)所包夹且与一次分割预想线(L1)正交方向延伸的区域内带状地形成电阻体(2)，并于该电阻体(2)上保持既定间隔以跨过一次分割预想线(L1)的方式形成对向的多个表电极(3)后，形成覆盖各电阻体(2)并与二次分割预想线(L2)交叉的方向延伸的玻璃涂层(7)，且形成从玻璃涂层(7)之上覆盖大尺寸基板(10A)的表面全体的树脂涂层(8)，之后，将大尺寸基板(10A)沿着一次分割预想线(L1)及二次分割预想线(L2)切割而得到各个晶片坯体(10B)。

技术领域

本发明是关于在电路基板上通过焊接而表面黏着的晶片电阻器、及此种晶片电阻器的制造方法。

背景技术

此种晶片电阻器，是具备长方体形状的绝缘基板、于绝缘基板的表面保持既定间隔而对向配置的一对的表电极、将成对表电极彼此桥接的电阻体、覆盖电阻体的绝缘性的保护膜、于绝缘基板的背面保持既定间隔而对向配置的一对的背电极、及将表电极与背电极桥接而于绝缘基板的两端部所形成的一对的端面电极而构成，端面电极的外表面是覆盖通过镀覆处理所形成的外部电极。

一般，制造此种晶片电阻器的情形，对大尺寸基板一并形成多数个电极、电阻、保护层等后，将该大尺寸基板分割成格子状而得到各个晶片坯体。作为该分割方法，广泛习知的方法是事先于大尺寸基板上将断面V字状的分割槽设置成格子状并沿着此等分割槽分断大尺寸基板，但伴随近年的晶片电阻器的小型化，取代设置分割槽而采用通过切割来切断大尺寸基板的方法(例如，参照专利文献1)。

上述专利文献1所揭示的晶片电阻器的制造方法中，首先，于设定有格子状延伸的一次分割预想线及二次分割预想线的大尺寸基板的表面，跨过二次分割预想线并与一次分割预想线重叠而形成带状延伸的多个表电极后，使此等表电极间桥接而在由二次分割预想线所包夹的区域内形成多个电阻体。接着，通过沿着二次分割预想线对大尺寸基板的表面激光划线而形成宽广的划线痕，从而在二次分割预想线上分断带状延伸的表电极。接着，形成覆盖电阻体的玻璃涂层(底涂层)后，通过使探针接触连接于电阻体的两端部的一对的表电极来测量电阻体的电阻值的同时，从玻璃涂层之上照射激光并于电阻体形成修整槽，从而调整电阻体的电阻值至目标电阻值范围。接着，在由一次分割预想线所包夹的区域内形成带状的树脂涂层(外涂层)，以覆盖玻璃涂层及电阻体，之后通过将大尺寸基板沿着一次分割预想线及二次分割预想线以切割刀片切断，从而形成与晶片电阻器外形相同的各个晶片坯体。

具备如此步骤的晶片电阻器的制造方法中，于调整电阻体的电阻值之前，在与一次分割预想线重叠的位置上带状形成的表电极会在二次分割预想线上分断，因此可通过使探针接触连接于电阻体的两端部的一对的表电极来测量电阻体的电阻值的同时，于电阻体形成修整槽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-76722号公报

发明内容

发明所要解决的问题

专利文献1所记载的晶片电阻器的制造方法中，是沿着一次分割预想线上使设定于大尺寸基板的二次分割预想线纵向切断而形成多个表电极后，使此等表电极间桥接而在由二次分割预想线所包夹的区域内形成多个电阻体，因此于调整电阻体的电阻值的步骤之前，需要通过激光划线沿着二次分割预想线分断连接于电阻体的两端部的表电极。然而，该激光划线，是朝向大尺寸基板的表面沿着二次分割预想线扫描所照射的激光并形成V字状槽，将此往与二次分割预想线正交的方向挪动并重复复数次，因此导致包含激光划线的电阻体的修整(trimming)步骤变得繁杂，并且要促进晶片电阻器的小型化的情形时，正确地对二次分割预想线的位置进行激光划线变得困难。

本发明是有鉴于此种先前技术的实际情形所成的发明，其目的在于提供一种制造步骤单纯且适合小型化的晶片电阻器。

用于解决问题的方案