[发明专利]像素阵列和包括其的图像传感器在审
申请号: | 202210644841.0 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN115472638A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 赵鼎镇;李宽熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 包括 图像传感器 | ||
1.一种包括在图像传感器中的像素阵列,该像素阵列包括:
像素和列线,像素被布置成矩阵,每条列线公共地连接到布置在同一列上的像素,其中:
每个像素包括四个子像素,所述四个子像素中的每个包括:
四个光电转换器件;
浮置扩散区,配置为存储由所述四个光电转换器件产生的电荷;以及
四个传输栅极,配置为将所述四个光电转换器件产生的电荷传输到浮置扩散区,
在每个像素中,所述四个子像素中分别包括的四个浮置扩散区经由内部布线彼此电连接,以及
每个像素还包括:
复位栅极,配置为通过向内部布线提供电源电压来使所述四个浮置扩散区复位;
第一驱动栅极,配置为经由内部布线接收第一电压;以及
第一选择栅极,在第一方向上与第一驱动栅极相邻布置。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其中每个像素还包括:
第二选择栅极,在第一方向上与第一选择栅极相邻布置;以及
第二驱动栅极,在第一方向上与第二选择栅极相邻布置,并配置为经由内部布线接收第一电压。
3.如权利要求2所述的像素阵列,其中第一驱动栅极连接到内部布线的第一端子,第二驱动栅极连接到内部布线的第二端子。
4.如权利要求1所述的像素阵列,其中每个像素还包括在第一方向上与复位栅极相邻布置的虚设栅极。
5.如权利要求1所述的像素阵列,其中每个像素还包括在第一方向上与复位栅极相邻布置的第一增益控制栅极。
6.如权利要求5所述的像素阵列,其中每个像素还包括在第一方向上与第一增益控制栅极相邻布置的第二增益控制栅极,第二增益控制栅极与复位栅极关于第一增益控制栅极在第一方向上对称布置。
7.如权利要求1所述的像素阵列,其中所述四个子像素包括布置成2×2矩阵的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。
8.如权利要求1所述的像素阵列,其中所述四个子像素包括在第一方向上并排布置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。
9.如权利要求8所述的像素阵列,其中第一驱动栅极在第一方向上与复位栅极相邻布置,并被配置为经由内部布线接收第一电压。
10.如权利要求1所述的像素阵列,其中单个微透镜布置在一个像素中包括的每个光电转换器件之上。
11.如权利要求1所述的像素阵列,其中单个微透镜布置在一个像素中包括的光电转换器件中的至少两个之上。
12.如权利要求1所述的像素阵列,其中不同颜色的滤色器布置在彼此相邻的第一像素和第二像素上,相同颜色的滤色器布置在一个像素中包括的所述四个子像素上。
13.如权利要求1所述的像素阵列,其中不同颜色的滤色器布置在一个像素中包括的所述四个子像素当中的沿第一方向或第二方向彼此相邻的两个子像素上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的