[发明专利]像素阵列和包括其的图像传感器在审
申请号: | 202210644841.0 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN115472638A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 赵鼎镇;李宽熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 包括 图像传感器 | ||
提供了像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器。包括在图像传感器中的像素阵列包括布置成矩阵的多个像素和多条列线,每条列线公共地连接到所述多个像素当中的布置在同一列线上的像素。所述多个像素中的每个包括四个子像素。所述四个子像素中的每个包括:四个光电转换器件;浮置扩散区,存储所述四个光电转换器件产生的电荷;以及四个传输栅极,配置为将所述四个光电转换器件产生的电荷传输到浮置扩散区。所述四个子像素中包括的四个浮置扩散区经由内部布线彼此电连接。所述多个像素中的每个还包括复位栅极、第一驱动栅极和第一选择栅极。
相关申请的交叉引用
本申请基于2021年6月10日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0075608号韩国专利申请并要求其优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全文合并于此。
技术领域
实施例涉及像素阵列和包括其的图像传感器。
背景技术
图像传感器是用于捕获对象的二维(2D)或三维(3D)图像的设备。图像传感器通过使用根据对象反射的光的强度作出反应的光电转换器件来生成对象的图像。随着互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的最新发展,使用CMOS的CMOS图像传感器已得到广泛应用。随着图像传感器的分辨率提高,期望由于图像传感器的像素阵列中包括的多个像素之间的节距减小而具有减小的面积的像素结构。
发明内容
根据实施例,提供了一种包括在图像传感器中的像素阵列,该像素阵列包括:布置成矩阵的多个像素和多条列线,每条列线公共地连接到所述多个像素当中的布置在同一列上的像素。所述多个像素中的每个包括四个子像素。所述四个子像素中的每个包括:四个光电转换器件;浮置扩散区,存储由所述四个光电转换器件产生的电荷;以及四个传输栅极,配置为将所述四个光电转换器件产生的电荷传输到浮置扩散区。所述四个子像素中包括的四个浮置扩散区经由内部布线彼此电连接。所述多个像素中的每个还包括:复位栅极,配置为通过向内部布线提供电源电压来使所述四个浮置扩散区复位;第一驱动栅极,配置为经由内部布线接收第一电压;以及第一选择栅极,在第一方向上与第一驱动栅极相邻布置。
根据实施例,提供了一种包括在图像传感器中的像素阵列,该像素阵列包括:多个像素,每个像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;以及多条列线,每条列线公共地连接到所述多个像素当中的布置在同一列上的像素。第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素中的每个包括:布置成矩阵的四个光电转换器件;以及浮置扩散区,存储所述四个光电转换器件产生的电荷。第一子像素的第一浮置扩散区、第二子像素的第二浮置扩散区、第三子像素的第三浮置扩散区和第四子像素的第四浮置扩散区经由布线彼此电连接,布线形成于在此形成像素的像素区内。所述多个像素中的每个还包括输出电路,该输出电路连接到所述多条列线当中的相应列线和布线,并被配置为共享第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。第一电路包括:复位晶体管,配置为向布线提供复位电压;至少一个驱动晶体管,包括连接到布线的栅极;以及至少一个选择晶体管,连接到第一驱动晶体管和列线。
根据实施例,提供了一种包括像素阵列的图像传感器,该像素阵列包括:多个像素,其中所述多个像素中的每个包括布置在多个转移晶体管之间的多个浮置扩散区,所述多个浮置扩散区经由布线彼此连接;行驱动器,配置为以行为单位来驱动连接到所述多个像素的行;以及模数转换电路,配置为从连接到像素阵列的多条列线接收多个感测信号,并对所述多个感测信号执行模数转换。
根据实施例,提供了一种像素阵列,其包括:半导体基板,具有第一表面和第二表面并包括与第一表面相邻的多个浮置扩散区;以及布置在第一表面上的布线结构。布线结构包括:多个传输栅极,关于所述多个浮置扩散区中的每个彼此对称布;以及布线,配置为电连接所述多个浮置扩散区当中的四个相邻的浮置扩散区。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施例,特征对于本领域技术人员将变得明显,附图中:
图1是根据示例实施例的图像传感器的框图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的