[发明专利]带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法

权利要求书

1.一种带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是该方法包括以下步骤：

S1、提供第一载板（101），在第一载板（101）的正面溅射出种子层（102），在种子层（102）上涂覆出光阻层（103）；

S2、将光阻层（103）图案化，形成深孔和切割道标志；

S3、在光阻层（103）图案化的深孔和切割道内填充金属柱（104），金属柱（104）的正面低于光阻层（103）的正面；

S4、将金属柱（104）外侧的光阻层（103）和种子层（102）去除，露出第一载板（101）的部分正面；

S5、在第一载板（101）的正面采用膜层材料进行压膜，形成压膜层（105），压膜层（105）将金属柱（104）包覆在其中；

S6、对压膜层（105）的正面进行减薄，直至露出金属柱（104）；

S7、将带凸点芯片（106）采用底填料（107）并通过底部填充方式焊接到金属柱（104）上；

S8、将焊接有带凸点芯片（106）的表面用第一树脂料（108）进行包封；

S9、将第一载板（101）剥离；

S10、沿所述切割道切割成芯片单元（109）；

S11、提供第二载板（110）与不带凸点裸芯（112），先在第二载板（110）的正面贴覆键合膜（111），再将芯片单元（109）与不带凸点裸芯（112）通过它们的正面贴装到键合膜（111）上；

S12、将芯片单元（109）和不带凸点裸芯（112）用第二树脂料（113）进行包封；

S13、通过对键合膜（111）进行解键合将第二载板（110）拆除，得到带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片。

2.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述第一载板（101）的厚度小于或等于1mm，第一载板（101）的材质为硅、玻璃或者树脂；种子层（102）的厚度大于或等于100nm，且种子层（102）的材质为Ni、Cu、Au或Cr；光阻层（103）的厚度大于或等于65μm，光阻层（103）的材质为聚酰亚胺类、乙烯基树脂类、环氧树脂类或者聚对二甲苯在内的聚合物材质。

3.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述金属柱（104）的高度大于或等于50μm，金属柱（104）的材质为Ni、Cu、Au或Cr。

4.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述压膜层（105）的CBF膜或者ABF膜。

5.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：步骤S7中，所述底部填充方式为毛细作用填充方式、预成型底部填充方式或者非流动底部填充方式。

6.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述第一树脂料（108）的材质为包含有树脂和SiO₂颗粒的固态塑封料和液态塑封料。

7.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述第二载板（110）的厚度为小于或等于1mm，第二载板（110）的材质为硅、玻璃或者树脂。

8.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：所述第二树脂料（113）的材质均为包含有树脂和SiO₂颗粒的固态塑封料和液态塑封料。

9.如权利要求1所述的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，其特征是：步骤S13中，解键合方式为高温解键合、激光解键合或者化学腐蚀解键合。