[发明专利]带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法

说明书

本发明涉及一种带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，包括以下步骤：在第一载板的正面溅射出种子层，在种子层上涂覆出光阻层；将光阻层图案化；在光阻层图案化的深孔和切割道内填充金属柱；将金属柱外侧的光阻层和种子层去除；在第一载板的正面压膜；对压膜层的正面进行减薄；将带凸点芯片焊接到金属柱上，用第一树脂料进行包封；将第一载板剥离；沿切割道切割成芯片单元；将芯片单元与不带凸点裸芯通过它们的正面贴装到键合膜上；将芯片单元和不带凸点裸芯用第二树脂料进行包封；通过对键合膜进行解键合将第二载板拆除，得到带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片。本发明极大的提高了封装的可靠性，提升了产品成品率和良率。

技术领域

本发明属于集成电路的封装技术领域，具体地说是一种带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法。

背景技术

2.5D、3D集成工艺是目前集成电路的主要发展方向，因其高频特性出色，能减小传输延时、降低噪声、封装尺寸小、热膨胀可靠性高等优点受到业界的重视，可应用范围也较广。

现有圆片重构工艺主要是将不带凸点的裸芯进行重构，如果来料芯片带有凸点，需要先将凸点去除，才可以进行圆片重构工艺，而目前现有的去球工艺是采用湿法工艺，用刻蚀液将凸点腐蚀掉，去球工艺的工艺窗口难以掌控，极易造成焊球残留或者过刻蚀造成的焊盘损伤，并且大多数芯片表面会覆盖一层PI钝化层，不易去除，对后续工艺存在较大影响。采用这样的工艺，工艺过程存在较多高风险，且会对整个电路的可靠性造成影响。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种可以提高封装的可靠性并提升产品成品率和良率的带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法。

按照本发明提供的技术方案，所述带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片重构方法，该方法包括以下步骤：

S1、提供第一载板，在第一载板的正面溅射出种子层，在种子层上涂覆出光阻层；

S2、将光阻层图案化，形成深孔和切割道标志；

S3、在光阻层图案化的深孔和切割道内填充金属柱，金属柱的正面低于光阻层的正面；

S4、将金属柱外侧的光阻层和种子层去除，露出第一载板的部分正面；

S5、在第一载板的正面采用膜层材料进行压膜，形成压膜层，压膜层将金属柱包覆在其中；

S6、对压膜层的正面进行减薄，直至露出金属柱；

S7、将带凸点芯片采用底填料并通过底部填充方式焊接到金属柱上；

S8、将焊接有带凸点芯片的表面用第一树脂料进行包封；

S9、将第一载板剥离；

S10、沿所述切割道切割成芯片单元；

S11、提供第二载板与不带凸点裸芯，先在第二载板的正面贴覆键合膜，再将芯片单元与不带凸点裸芯通过它们的背面贴装到键合膜上；

S12、将芯片单元和不带凸点裸芯用第二树脂料进行包封；

S13、通过对键合膜进行解键合将第二载板拆除，得到带凸点芯片与不带凸点裸芯的圆片。

作为优选，所述第一载板的厚度小于或等于1mm，第一载板的材质为硅、玻璃或者树脂；种子层的厚度大于或等于100nm，且种子层的材质为Ni、Cu、Au或Cr；光阻层的厚度大于或等于65μm，光阻层的材质为聚酰亚胺类、乙烯基树脂类、环氧树脂类或者聚对二甲苯在内的聚合物材质。

作为优选，所述金属柱的高度大于或等于50μm，金属柱的的材质为Ni、Cu、Au或Cr。

作为优选，所述压膜层的CBF膜或者ABF膜。

作为优选，步骤S7中，所述底部填充方式为毛细作用填充方式、预成型底部填充方式或者非流动底部填充方式。

作为优选，所述第一树脂料的材质为包含有树脂和SiO₂颗粒的固态塑封料和液态塑封料。