[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；

牺牲层，位于所述非接触区内，所述牺牲层的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小，以使所述牺牲层的刻蚀速率沿远离所述衬底的方向线性降低；

支撑层，位于所述牺牲层上；

多个接触孔，位于对应的电容接触区内，且贯穿所述牺牲层和所述支撑层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的材料为硼磷硅玻璃，所述牺牲层中硼和磷的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层中硼和磷的百分比浓度之和小于10％。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层中硼的百分比浓度为1.5％～4.5％，所述牺牲层中磷的百分比浓度为1％～4％。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层中硼和磷的百分比浓度的减小速率为0.3％/100nm～0.7％/100nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

介质层，位于所述牺牲层和所述支撑层之间，所述多个接触孔贯穿所述介质层；

其中，所述介质层的刻蚀速率大于所述支撑层的刻蚀速率，且小于所述牺牲层的刻蚀速率。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的材料为硅酸乙酯。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的厚度为1nm～200nm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

多个电容，填充于对应的接触孔内。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；

多个电容，位于对应的电容接触区内，所述电容的轮廓由权利要求1至8任一项所述半导体结构中的接触孔限定。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；

于所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小，以使所述牺牲层的刻蚀速率沿远离所述衬底的方向线性降低；

于所述牺牲层上形成支撑层；

于每个所述电容接触区内刻蚀出贯穿所述牺牲层和所述支撑层的接触孔。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成牺牲层，包括：

向反应腔内通入硼源和磷源，并线性减小硼源的流量和磷源的流量，以形成牺牲层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述硼源的流量为100sccm～600sccm，所述磷源的流量小于200sccm。

14.根据权利要求11-13任一项所述的制备方法，其特征在于，于所述牺牲层上形成支撑层之前，还包括：

于所述牺牲层上形成介质层，所述介质层的刻蚀速率大于所述支撑层的刻蚀速率，且小于所述牺牲层的刻蚀速率。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，于所述牺牲层上形成介质层包括：

采用原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积、高密度等离子体增强化学气相沉积、次大气压化学气相沉积中的一种于所述牺牲层上形成介质层。