[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；牺牲层，位于所述非接触区内，所述牺牲层的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小，以使所述牺牲层的刻蚀速率沿远离所述衬底的方向线性降低；支撑层，位于所述牺牲层上；多个接触孔，位于对应的电容接触区内，且贯穿所述牺牲层和所述支撑层。本发明可以改善接触孔的均匀性。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

动态随机存取存储器(英文：Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(英文：bit)是1还是0。

现有DRAM的制程中，先在衬底上形成牺牲层和支撑层，再形成贯穿牺牲层和支撑层的接触孔，最后填充接触孔形成电容。

在实现本公开过程中，发明人发现现有技术至少存在如下问题：

随着集成度的提高，DRAM尺寸不断缩小，电容(即接触孔)的深宽比越来越高，现有制程形成的电容轮廓不理想。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中的电容轮廓不理想的问题提供一种半导体结构及其制备方法。

根据一些实施例，本公开第一方面提供一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；

牺牲层，位于所述非接触区内，所述牺牲层的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小，以使所述牺牲层的刻蚀速率沿远离所述衬底的方向线性降低；

支撑层，位于所述牺牲层上；

多个接触孔，位于对应的电容接触区内，且贯穿所述牺牲层和所述支撑层。

在其中一个实施例中，所述牺牲层的材料为硼磷硅玻璃，所述牺牲层中硼和磷的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小。

在其中一个实施例中，所述牺牲层中硼和磷的百分比浓度之和小于10％。

在其中一个实施例中，所述牺牲层中硼的百分比浓度为1.5％～4.5％，所述牺牲层中磷的百分比浓度为1％～4％。

在其中一个实施例中，所述牺牲层中硼和磷的百分比浓度的减小速率为0.3％/100nm～0.7％/100nm。

在其中一个实施例中，还包括：

介质层，位于所述牺牲层和所述支撑层之间，所述多个接触孔贯穿所述介质层；

其中，所述介质层的刻蚀速率大于所述支撑层的刻蚀速率，且小于所述牺牲层的刻蚀速率。

在其中一个实施例中，所述介质层的材料为硅酸乙酯。

在其中一个实施例中，所述介质层的厚度为1nm～200nm。

在其中一个实施例中，还包括：

多个电容，填充于对应的接触孔内。

根据一些实施例，本公开第二方面提供一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；

多个电容，位于对应的电容接触区内，所述电容的轮廓由第二方面提供的半导体结构中的接触孔限定。

根据一些实施例，本公开第三方面提供一种半导体结构的制备方法，包括：