[发明专利]一种晶圆级芯片的封装方法在审
| 申请号： | 202210647706.1 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN115101421A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 彭祎;任超;方梁洪;刘凤 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 苗芬芬 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 芯片 封装 方法 | ||
1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：
制备待电镀晶圆；
在所述待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；所述第一面为远离所述待电镀晶圆的电镀种子层的面；
将所述待电镀晶圆与电镀治具卡接，所述缓冲膜能够贴附在所述电镀治具上；
对所述待电镀晶圆进行电镀处理，在所述待电镀晶圆上形成布线层(9)；
去除所述缓冲膜；
对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲膜包括UV膜。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述制备待电镀晶圆，包括：
制备溅射前晶圆；
将所述溅射前晶圆的第一面与支撑件连接；所述支撑件的径向尺寸与所述电镀前晶圆相同；
对所述溅射前晶圆进行溅射种子层处理，并去除所述支撑件，得到所述待电镀晶圆。
4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述支撑件的厚度范围为550～850微米。
5.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述支撑件的材料包括硅。
6.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述种子层(4)的材料包括钛铜复合材料。
7.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述制备溅射前晶圆，包括：
提供一初始晶圆；所述初始晶圆与所述第一面相对的第二面上设有电极(1)；
在所述第二面上制备第一介质层(3)；
在所述第一介质层(3)上涂覆阻挡层，得到待曝光晶圆；
将所述待曝光晶圆的第一面与曝光设备的放置平台粘合连接；
对所述待曝光晶圆依次进行曝光、显影和刻蚀处理，在所述第一介质层(3)上形成用于暴露所述电极(1)的第一介质孔(6)，得到溅射前晶圆。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第一介质层(3)的厚度范围为3～10微米。
9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆，包括：
在所述电镀后的晶圆的第二面上制备第二介质层；所述第二介质层包括第二介质孔(7)；所述第二介质孔(7)用于暴露所述布线层(9)的连接电极(1)；
在所述第二介质层上依次进行溅射种子层(4)和电镀焊柱(8)处理；所述焊柱(8)包括第一焊柱(81)和第二焊柱(82)；所述第一焊柱(81)位于所述第二介质孔(7)上；所述第二焊柱(82)能够与所述第一焊柱(81)形成均匀分布的焊柱(8)阵列；
对所述焊柱(8)进行回流焊，得到封装后晶圆。
10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述初始晶圆的厚度范围为150～300微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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