[发明专利]一种晶圆级芯片的封装方法

说明书

本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种晶圆级芯片的封装方法。本发明提供的该封装方法通过先制备待电镀晶圆；在该待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；该第一面为远离该待电镀晶圆的电镀种子层的面；并将该待电镀晶圆与电镀治具卡接，该缓冲膜能够贴附在该电镀治具上；对该待电镀晶圆进行电镀处理，在该待电镀晶圆上形成布线层；去除该缓冲膜；对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆；后续再通过对封装后晶圆进行分割等处理，即可得到单颗晶圆。该封装方法可有效提高薄片晶圆在电镀过程中的电镀质量，保证后续封装步骤的质量。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别涉及一种晶圆级芯片的封装方法。

背景技术

晶圆级封装具有尺寸小和效率高的特点，成为封装方式的优先方案。基于晶圆级芯片进行整体封装，封装后再进行分片，形成单颗芯片，虽然这种方式提高了芯片的加工效率，但使用晶圆级封装技术由于其复杂的工序，以及机台要求高，所以一般厚片的晶圆才能够满足要求。

一般，晶圆出厂厚度一般在625微米～750微米，会基于该厚度进行封装，封装后在进行减薄；但有些晶圆在经过减薄后，需要对减薄后的晶圆进行进一步的晶圆级封装，但由于减薄后晶圆翘曲大，这使得机台无法自动作业，而且减薄后的晶圆脆性大，在操作过程中容易裂片。

发明内容

本发明要改善的是现有技术中对薄片晶圆的晶圆级封装存在封装效率低、成品率低的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请公开了一种晶圆级芯片的封装方法，其包括：

制备待电镀晶圆；

在该待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；该第一面为远离该待电镀晶圆的电镀种子层的面；

将该待电镀晶圆与电镀治具卡接，该缓冲膜能够贴附在该电镀治具上；

对该待电镀晶圆进行电镀处理，在该待电镀晶圆上形成布线层；

去除该缓冲膜；

对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆。

可选的，该缓冲膜包括UV膜。

可选的，该制备待电镀晶圆，包括：

制备溅射前晶圆；

将该溅射前晶圆的第一面与支撑件连接；该支撑件的径向尺寸与该电镀前晶圆相同；

对该溅射前晶圆进行溅射种子层处理，并去除该支撑件，得到该待电镀晶圆。

可选的，该支撑件的厚度范围为550～850微米。

可选的，该支撑件的材料包括硅。

可选的，该种子层的材料包括钛铜复合材料。

可选的，该制备溅射前晶圆，包括：

提供一初始晶圆；该初始晶圆与该第一面相对的第二面上设有电极；

在该第二面上制备第一介质层；

在该第一介质层上涂覆阻挡层，得到待曝光晶圆；

将该待曝光晶圆的第一面与曝光设备的放置平台粘合连接；

对该待曝光晶圆依次进行曝光、显影和刻蚀处理，在该第一介质层上形成用于暴露该电极的第一介质孔，得到溅射前晶圆。

可选的，该第一介质层的厚度范围为3～10微米。

可选的，该对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆，包括：

在该电镀后的晶圆的第二面上制备第二介质层；该第二介质层包括第二介质孔；该第二介质孔用于暴露该布线层的连接电极；