[发明专利]电容倍增电路及芯片

权利要求书

1.一种电容倍增电路，其特征在于，包括：

第一电容，具有第一端和第二端；

反相器，所述反相器的输入端与第一电容的第一端相连，所述反相器的输出端与第一电容的第二端相连，所述反相器用于放大第一电容两端的电压差；

开关电容电路，与反相器的输入端和输出端相连，所述开关电容电路包括第一开关、第二开关和第二电容；所述第一开关的第一端与反相器的输出端相连，所述第一开关的第二端与第二开关的第一端以及第二电容的第一端相连，所述第二开关的第二端与反相器的输入端相连，所述第二电容的第二端接地，所述第一开关和第二开关通过交替断开和闭合控制第二电容的充放电，所述开关电容电路用于防止反相器的输出电压饱和。

2.如权利要求1所述的电容倍增电路，其特征在于，所述反相器包括第一MOS管、第二MOS管和放大电路，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极与输入端相连，所述放大电路与第一MOS管和第二MOS管的漏极以及输出端相连，所述第一MOS管的源极与电源电压相连，所述第二MOS管的源极与地相连。

3.如权利要求2所述的电容倍增电路，其特征在于，所述放大电路包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管的源极与第一MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的源极与第二MOS管的漏极相连，所述第三MOS管和第四MOS管的漏极相连且与输出端相连，所述第三MOS管和第四MOS管的栅极与偏置电压相连。

4.如权利要求1所述的电容倍增电路，其特征在于，所述第一开关和第二开关由非交叠时钟信号控制。

5.如权利要求1所述的电容倍增电路，其特征在于，所述开关电容电路的等效电阻为：，其中，为第一开关和第二开关的断开和闭合的频率，为第二电容的电容值。

6.如权利要求5所述的电容倍增电路，其特征在于，所述电容倍增电路的输入导纳为：，其中，为第一电容的电容值，为反相器的电压增益，，为反相器的输入跨导，为反相器的输出阻抗，为复频率域变量，即；是虚数符号，而是角频率变量；其中是圆周率，是频率变量。

7.如权利要求6所述的电容倍增电路，其特征在于，

在时，，

在时，，

在时，，

其中，为电容倍增电路的输入导纳的极点频率，为电容倍增电路的输入导纳的零点频率。

8.如权利要求5所述的电容倍增电路，其特征在于，所述电容倍增电路的输入导纳的极点频率为：，所述电容倍增电路的输入导纳的零点频率为：，其中，为的第一电容的电容值，为反相器的输入跨导。

9.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1~8任意一项所述的电容倍增电路。