[发明专利]晶圆的减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，其特征在于，所述减薄方法包括：

将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面；

对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度；

利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；

所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：

将所述耐酸性基层通过所述粘接层粘接于所述晶圆的所述正面。

3.根据权利要求2所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物。

4.根据权利要求2所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性基层的厚度大于或等于90μm；和/或

所述粘接层的厚度大于或等于30μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：

通过滚轮将所述耐酸性膜压贴于所述晶圆的所述正面。

6.根据权利要求5所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分；

所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括：

加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离。

7.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理包括：

将所述晶圆浸入所述刻蚀液中静置第一预设时间，以对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理；

其中，所述刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。

8.根据权利要求7所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述第一预设时间小于或等于3分钟。

9.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理之后还包括：

采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗。

10.根据权利要求9所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述预设水温小于或等于50℃。

11.根据权利要求9所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，对所述晶圆进行清洗的清洗时间不超过6分钟。

12.根据权利要求9所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述刻蚀液包括具有氧化性的酸性溶液；所述采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗之后还包括：

去除所述晶圆的背面的氧化膜层。

13.根据权利要求12所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层包括：

将所述晶圆浸入氢氟酸溶液中，静置第二预设时间，以去除所述晶圆的背面的氧化膜层；

其中，所述第二预设时间小于或等于3分钟。

14.根据权利要求13所述的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述去除所述晶圆的背面的氧化膜层之后还包括：

采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行至少一次清洗；

对所述晶圆进行干燥处理；

将所述耐酸性膜从所述晶圆上去除。