[发明专利]晶圆的减薄方法

说明书

本发明涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理。可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆的减薄方法。

背景技术

相关技术中，芯片叠层三维封装工艺包括晶圆的减薄工艺，晶圆的减薄工艺通常包括对晶圆的背面进行研磨减薄的过程及对晶圆背面进行刻蚀的过程，然而，传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时，会出现半导体器件的可靠性失效的情况。

发明内容

基于此，有必要针对传统的晶圆减薄工艺制得的晶圆在制作半导体器件时会出现半导体器件的可靠性失效的情况的问题，提供一种晶圆的减薄方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，所述减薄方法包括：

将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面；其中，所述耐酸性膜完全覆盖所述晶圆的所述正面；

对所述晶圆的所述背面进行研磨减薄，直至所述晶圆的厚度达到目标厚度；

利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理。

在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括层叠设置的耐酸性基层和粘接层；

所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：

将所述耐酸性基层通过所述粘接层粘接于所述晶圆的所述正面。

在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的材质包括聚烯烃共聚物。

在其中一个实施例中，所述耐酸性基层的厚度大于或等于90μm；和/或

所述粘接层的厚度大于或等于30μm。

在其中一个实施例中，所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面包括：

通过滚轮将所述耐酸性膜压贴于所述晶圆的所述正面。

在其中一个实施例中，所述耐酸性膜包括完全覆盖于所述晶圆的所述正面的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分；

所述将耐酸性膜贴设于所述晶圆的所述正面之后还包括：

加热切割刀头，并利用加热后的所述切割刀头对所述耐酸性膜进行切割，以将所述第二部分与所述第一部分切除分离。

在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理包括：

将所述晶圆浸入所述刻蚀液中静置第一预设时间，以对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理；

其中，所述刻蚀液包括氢氟酸、硫酸和硝酸。

在其中一个实施例中，所述第一预设时间小于或等于3分钟。

在其中一个实施例中，所述利用刻蚀液对所述晶圆的所述背面进行平坦化处理之后还包括：

采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗。

在其中一个实施例中，所述预设水温小于或等于50℃。

在其中一个实施例中，对所述晶圆进行清洗的清洗时间不超过6分钟。

在其中一个实施例中，所述刻蚀液包括具有氧化性的酸性溶液；所述采用具有预设水温的纯水对所述晶圆进行清洗之后还包括：