[发明专利]低压工艺的静电保护器件及整体静电防护方法

权利要求书

1.一种低压工艺的静电保护器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为N型衬底或P型衬底；

阱环，设置于所述衬底上；其中，

所述阱环内还设置有第一重掺杂有源区；

深阱区，设置于所述阱环内；

阱区，设置于所述深阱区内；

所述阱区内还设置有第二重掺杂有源区；其中，

所述第一重掺杂有源区和第二重掺杂有源区分别连接至电源端、I/O端口和接地端；

所述衬底通过如下方式进行检测，以确定其是否存在缺陷：

将预设检测光线照射至衬底上，获取反射光线；其中，

所述预设检测光线为紫外线、红外线、γ射线和β射线其中一种；

根据所述反射光线，生成衬底待测图像；

将所述衬底待测图像转换为灰度图像，在所述灰度图像上选取多个检测区域；其中，

不同检测区域不重叠；

不同检测区域均设置有对应的标准图像；

提取不同检测区域的各个像素的灰度值；

将所述灰度值与所述标准图像的灰度值进行对比，确定灰度值高于标准图像的灰度值的像素数量；

当所述像素数量不高于预设值时，所述衬底不存在缺陷；

当所述像素数量高于预设值时，所述衬底存在缺陷；其中，

所述预设值为衬底符合标准像素的数量值；

所述衬底为P型衬底时：

所述阱环为N型阱环；

所述深阱区为深N阱区；

所述阱区为P型阱区；

所述第一重掺杂有源区包括：第一P+重掺杂有源区、第二P+重掺杂有源区和第三P+重掺杂有源区；

所述第二重掺杂有源区包括：第一N+重掺杂有源区、第二N+重掺杂有源区和第三N+重掺杂有源区；

所述衬底为N型衬底时：

所述阱环为P型阱环；

所述深阱区为深P阱区；

所述阱区为N型阱区；

所述第一重掺杂有源区包括：第一N+重掺杂有源区、第二N+重掺杂有源区和第三N+重掺杂有源区；

所述第二重掺杂有源区包括：第一P+重掺杂有源区、第二P+重掺杂有源区和第三P+重掺杂有源区。

2.如权利要求1所述的一种低压工艺的静电保护器件，其特征在于，所述阱环和深阱区用于生成隔离结构，将阱区和衬底隔离开，生成第一隔离结构；

任意相邻的所述第一重掺杂有源区之间、所述第一重掺杂有源区和所述第二重掺杂有源区之间或任意相邻的所述第二重掺杂有源区之间均设置有第二隔离结构；

所述第二隔离结构包括以下结构的任意一种：无隔离结构、浅沟槽隔离和场氧化层。

3.如权利要求2所述的一种低压工艺的静电保护器件，

其特征在于，所述无隔离结构通过如下步骤形成：

步骤1：获取所述衬底的第一光刻模板，并仿真出第一无隔离结构，并在所述无隔离结构种设置测试区；其中，

所述第一光刻模板设置有电流路径的路径走向标记；

步骤2：根据所述测试区对所述第一无隔离结构的有源区进行模拟，并对模拟结果进行电流路径测试，获取测试结果；

步骤3：根据所述测试结果，判断所述电流路径是否与所述路径走向标记一致；

步骤4：当所述路径走向标记一致时，将所述第一无隔离结构作为目标无隔离结构。