[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成下部导电图案，所述下部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的第一列图案和多个导电图案在所述第一方向上排列的第二列图案，所述第一列和所述第二列在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻；以及

形成上部导电图案，所述上部导电图案包括多个导电图案在所述第一方向上排列的第三列图案和多个导电图案在所述第一方向上排列的第四列图案，所述第三列和所述第四列在所述第二方向上彼此相邻，其中：

所述第一列和所述第三列在平面图中至少部分地彼此重叠，

所述第二列和所述第四列在平面图中至少部分地彼此重叠，并且

所述上部导电图案形成为使得在所述第一列和所述第二列的所述第一方向上延伸的第一中心线从在所述第三列和所述第四列的所述第一方向上延伸的第二中心线在所述第二方向上以大于0.1μm的偏移量偏移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二中心线在平面图中与所述第二列重叠。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述形成上部导电图案包括通过光刻装置形成与所述上部导电图案对应的光刻胶图案，并且

在光刻操作中，向所述光刻装置输入在所述第二方向上的非零的套刻偏移，使得在所述第一列和所述第二列的方向上延伸的所述第一中心线从在所述第三列和所述第四列的方向上延伸的所述第二中心线在所述第二方向上偏移。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述上部导电图案上方形成绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述绝缘层包括在所述第三列和所述第四列上方的峰以及在所述第三列和所述第四列之间的谷。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述谷与所述第二列在平面图中重叠。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述绝缘层包括从所述谷到所述第二列的所述多个导电图案中的至少一个的裂纹。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一列和所述第二列之间的间隔小于所述第三列和所述第四列之间的间隔。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成在第一方向上排列并且嵌入第一介电层中的多个第一导电图案；

在所述多个第一导电图案和所述第一介电层上方形成第二介电层；

通过第一图案化操作在所述第二介电层中形成多个开口，每个开口位于所述多个第一导电图案中的对应一个上方；

在所述第二介电层上方和所述多个开口中形成导电材料的毯式层；

通过第二图案化操作图案化所述导电材料的毯式层以形成与所述多个第一导电图案中的对应一个连接的多个第二导电图案；以及

在所述多个第二导电图案上方形成第三介电层，

其中，在所述第一图案化操作中，在平面图中所述多个开口整体在所述第一方向上从所述多个第一导电图案整体以大于0.1μm的偏移量偏移。

10.一种半导体器件，包括：

半导体电路，设置在衬底上方；

下部导电图案，设置在所述半导体电路上方并且电耦合到所述半导体电路，所述下部导电图案包括多个导电图案在第一方向上排列的图案的第一列和多个导电图案在所述第一方向上排列的图案的第二列，所述第一列和所述第二列在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻；

第一介电层，设置在所述下部导电图案上方；

上部导电图案，设置在所述下部导电图案上方，所述上部导电图案包括多个导电图案在所述第一方向上排列的图案的第三列和多个导电图案在所述第一方向上排列的图案的第四列，所述第三列和所述第四列在平面图中在所述第二方向上相邻；以及

第二介电层，设置在所述上部导电图案上方，其中：

在平面图中，在所述第一列和所述第二列之间在所述第一方向上延伸的第一中心线从在所述第三列和所述第四列之间在所述第一方向上延伸的第二中心线在所述第二方向上偏移。